T553N

T553N EUPEC | Alldatasheet

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 1/8 Seite/page Kenndaten Elektrische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak and reverse voltages Tvj = -40°C... Tvj max V RRM 7000 V V Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltages Tvj = 0°C... Tvj max V RRM 7200 V V Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current I TRMSM 1200 A Dauergrenzstrom average on-state current TC = 85 °C TC = 60 °C ITAVM 550 765 A A Stoßstrom-Grenzwert surge current Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms ITSM 12100 11700 A A Grenzlastintegral I²t-value Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms I²t 732 684 10³ A²s 10³ A²s Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 60747-6 f = 50 Hz, PLM = 40mW, trise = 0,5µs (diT/dt)cr 300 A/µs Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM 5.Kennbuchstabe / 5 th letter H (dvD/dt)cr 2000 V/µs Charakteristische Werte / Characteristic values Schutzzündspannung (statisch) Protective break over voltage Tvj = 25°C … T vj max Typischer Degradationsfaktor ist 0,16%/K für Tvj = 0°C..25°C Typical de-rating factor of 0,16%/K is applicable for T vj = 0°C..25°C VBO min. 6500 V Durchlaßspannung on-state voltage Tvj = Tvj max , iT = 1000A, vD = 150V vT typ. max. 2,55 2,65 V V Schleusenspannung threshold voltage Tvj = Tvj max V (TO) typ. max. 1,25 1,3 V V Ersatzwiderstand slope resistance Tvj = Tvj max r T typ. max. 1,3 1,35 mΩ mΩ A -0,0927 B 0,000967 C 0,1815 typ. D 0,01334 A -0,0921 B 0,001 C 0,1841 Durchlaßkennlinie on-state characteristic T vj = Tvj max max. D 0,0149 minimale Zündlichtleistung minimum gate trigger light power Tvj = 25°C, vD = 150V P LM max. 40 mW Haltestrom holding current Tvj = 25°C I H max. 100 mA Einraststrom latching current Tvj = 25°C, vD = 150V, PLM = 40mW, trise = 0,5µs IL max. 1 A Rückwärts-Sperrstrom reverse blocking current Tvj = Tvj max vR = VRRM iR max. 200 mA Zündverzug gate controlled delay time DIN IEC 60747-6 Tvj = 25 °C, vD = 1000V , PLM = 40mW, trise = 0,5µs tgd max. 5 µs prepared by: C. Schneider date of publication: 2005-04-15 approved by: J. Przybilla revision: 8 TTTT iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 2/8 Seite/page Thermische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 th letter O tq typ. 650 µs Sperrverzögerungsladung recovered charge Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Qr max. 7,2 mAs Rückstromspitze peak reverse recovery current Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM IRM max. 210 A Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC RthJC max. max. max. max. 0,0200 0,0190 0,0305 0,0500 °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH max. max. 0,005 0,010 °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj max 120 °C Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+120 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force F 15...24 kN Gewicht weight G typ. 650 g Kriechstrecke creepage distance 25 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 3/8 Seite/page Maßbild 1 2 4.1 1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode 4.1: Gate

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 4/8 Seite/page R,t – Werte R R,T-Werte Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,01048 0,00243 0,00304 0,00272 0,00033 beidseitig two-sided τn [s] 0,84 0,132 0,062 0,0134 0,0019 Rthn [°C/W] 0,01917 0,00232 0,0028 0,00366 0,00255 anodenseitg anode-sided τn [s] 3,5 0,45 0,154 0,061 0,01 Rthn [°C/W] 0,0396 0,00106 0,00487 0,00237 0,0021 kathodenseitig cathode-sided τn [s] 5,82 0,45 0,126 0,037 0,009 Analytische Funktion / Analytical function: Σ −= τ maxn n=1 thnthJC n e1RZ 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s ] Zth JC [K/W] c a d Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 5/8 Seite/page Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie 200 400 600 800 1000 1200 00 , 511 , 522 , 53 v T [V ] iT [V] typ . m a x. Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 6/8 Seite/page beidseitig 0 5 10 15 20 25 30 35 -di/dt [A/µs ] Q r [mAs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 553N BIP AM / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller 7/8 Seite/page Ta bei Sinus 100 200 300 400 500 600 0 5 10 15 20 25 30 35 -d i/d t [A /µs ] I RM [A] Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

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