T1451N

T1451N EUPEC | Alldatasheet

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N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 2/8 Seite/page Thermische Eigenschaften Mechanische Eigenschaften Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs 4.Kennbuchstabe / 4 th letter O tq typ. 450 µs Sperrverzögerungsladung recovered charge Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM Qr max. 15 mAs Rückstromspitze peak reverse recovery current Tvj = Tvj max iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM IRM max. 320 A Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, DC Kathode / cathode, DC RthJC max. max. max. max. 0,0097 0,009 0,014 0,0250 °C/W °C/W °C/W °C/W Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCH max. max. 0,0025 0,005 °C/W °C/W Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature T vj max 125 °C Betriebstemperatur operating temperature T c op -40...+125 °C Lagertemperatur storage temperature T stg -40...+150 °C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Seite 3 page 3 Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force F 36...52 kN Steueranschlüsse control terminals DIN 46244 Gate Kathode /Cathode A 4,8x0,8 A 6,3x0,8 Gewicht weight G typ. 1500 g Kriechstrecke creepage distance 33 mm Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz 50 m/s² Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 3/8 Seite/page Maßbild 4 5 1: Anode/Anode 2: Kathode/Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Cathode (control terminal)

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 4/8 Seite/page R,t – Werte R R,T-Werte Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC Pos. n 1 2 3 4 5 6 7 Rthn [°C/W] 0,00223 0,0027 0,0028 0,0008 0,00047 beidseitig two-sided τn [s] 2,18 0,44 0,11 0,015 0,0041 Rthn [°C/W] 0,00623 0,0037 0,0028 0,0008 0,00047 anodenseitg anode-sided τn [s] 6,1 0,6 0,11 0,015 0,0041 Rthn [°C/W] 0,01503 0,0059 0,0028 0,0008 0,00047 kathodenseitig cathode-sided τn [s] 14,7 0,96 0,11 0,015 0,0041 Analytische Funktion / Analytical function: Σ −= τ maxn n=1 thnthJC n e1RZ 0,005 0,01 0,015 0,02 0,025 0,03 0,001 0,01 0,1 1 10 100 t [s ] Zth JC [K/W] c a d Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 5/8 Seite/page Diagramme Diagramme Durchlasskennlinie 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1300 1400 1500 1600 1700 1800 1900 2000 2100 2200 2300 2400 2500 2600 2700 2800 2900 3000 3100 3200 3300 3400 3500 3600 3700 0 0,5 1 1,5 2 2,5 v T [V ] iT [V] typ . m a x. Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT) Tvj = Tvj max

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 6/8 Seite/page Durchlassverluste 0,5 0,2 10 10000500020005020 100 200 500 1000 iG [mA] vG [V] +125°C +25°C -40°C a b c Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) : a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 7/8 Seite/page Tc beidseitig 0 5 10 15 20 25 30 35 -di/dt [A/µs ] Qr [mAs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

N Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Datenblatt / Data sheet T 1451N BIP AM / SM PB, 2001-02-06, Przybilla J. / Keller 8/8 Seite/page Ta bei Sinus 100 200 300 400 500 600 700 800 0 5 10 15 20 25 30 35 -d i/d t [A /µs ] IRM [A] Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt) Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM

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