SMZ13

SMZ1_16 DIOTEC | Alldatasheet

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Technical content

Features

Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hohe Leistungsfähigkeit VZ bis zu 200 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.12 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ ±5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ ±5%). Andere Toleranzen oder höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation – Verlustleistung TA = 25°C Ptot 2 W 3) Non repetitive peak power dissipation, t < 1 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 1 ms TA = 25°C PZSM 60 W Max. operating j unction temperature – Max. Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS +150°C -50...+175°C Characteristics Kennwerte Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 3) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 15 K/W Zener voltages see table on next page – Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite

1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book

Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches

2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben

3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

4 Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

5 The SMZ1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be “F” instead of “Z”. The cathode, indicated by a white band, has to be connected to the negative pole. Die SMZ1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index "F” anstatt “Z” zu setzten. Die mit weißem Balken gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden. © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Typ 0.5 5.0±0.3 2.5 0.1 0.2 0.4 0.5 0.4 Pb ELV W EEE RoHS

SMZ1 ... SMZ200 Characteristics (Tj = 25°C unless otherwise specified) Kennwerte (Tj = 25°C wenn nicht anders spezifiziert) Type Typ Zener voltage 4) Zener-Spannung 4) IZ = IZtest Test current Mess-Strom Dynamic resistance Diff. Widerstand IZtest / f = 1 kHz Temp. Coeffiz. of Z-voltage …der Z-Spannung Reverse volt. Sperrspanng. IR = 1 μA Z-current 3) Z-Strom 3) TA = 50°C Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [Ω] αVZ [10-4 /°C] VR [V] IZmax [mA] SMZ15) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) –26…–16 – 1200 SMZ5.6 5.2 6.0 100 1 (<3) –3…+5 > 0.5 / 3 µA 333 SMZ6.8 6.4 7.2 100 1 (<2) 0…+7 > 2 278 SMZ7.5 7.0 7.9 100 1 (<2) 0…+7 > 2 253 SMZ10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5…+9 > 5 189 SMZ11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5…+10 > 5 172 SMZ12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5…+10 > 7 157 SMZ13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5…+10 > 7 142 SMZ15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5…+10 > 10 128 SMZ16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 117 SMZ18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6…+11 > 10 105 SMZ20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6…+11 > 10 94 SMZ22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6…+11 > 12 86 SMZ24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6…+11 > 12 78 SMZ27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6…+11 > 14 69 SMZ30 28 32 25 8 (<15) +6…+11 > 14 63 SMZ33 31 35 25 8 (<15) +6…+11 > 17 57 SMZ36 34 38 10 16 (<40) +6…+11 > 17 53 SMZ39 37 41 10 20 (<40) +6…+11 > 20 49 SMZ43 40 46 10 24 (<45) +7…+12 > 20 43 SMZ47 44 50 10 24 (<45) +7…+12 > 24 40 SMZ51 48 54 10 25 (<60) +7…+12 > 24 37 SMZ56 52 60 10 25 (<60) +7…+12 > 28 33 SMZ62 58 66 10 25 (<80) +8…+13 > 28 30 SMZ68 64 72 10 25 (<80) +8…+13 > 34 28 SMZ75 70 79 10 30 (<100) +8…+13 > 34 25 SMZ82 77 88 10 30 (<100) +8…+13 > 41 23 SMZ91 85 96 5 40 (<200) +9…+13 > 41 21 SMZ100 94 106 5 60 (<200) +9…+13 > 50 19 SMZ110 104 116 5 80 (<250) +9…+13 > 50 17 SMZ120 114 127 5 80 (<250) +9…+13 > 60 16 SMZ130 124 141 5 90 (<300) +9…+13 > 60 14 SMZ150 138 156 5 100 (<300) +9…+13 > 75 13 SMZ160 153 171 5 110 (<350) +9…+13 > 75 12 SMZ180 168 191 5 120 (<350) +9…+13 > 90 10 SMZ200 188 212 5 150 (<350) +9…+13 > 90 9 3,4,5 3,4,5 Notes see previous page – Fußnoten siehe vorhergehende Seite 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG

SMZ1 ... SMZ200 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3 120 100 [%] Ptot Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 30a-(1a-1.1v) [pF] [V] Cj VZ T = 25°C f = 1.0 MHz j V = 0V R V = 4V R V = 20V R V = 40V R Junction capacitance vs. zener voltage (typical) 0 2 3 4 5 6 7 8 10[V]VZ [mA] 100 300 200 IZ Typical breakdown characteristic Typische Abbruchspannung – tested with pulses – gemessen mit Impulsen 6,8 8,2 9,1 I ZT 7,5 IZmax T = 25°Cj I = 5 mAZ Typ. Zener voltage vs. zener current – Typ. Abbruchspannung über Zenerstrom 10 18 24 30 36 43 51 6256 68 75 82 91 100 I ZT IZmax 36 43