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Technical content
Features
Dual diode, common cathode Best trade-off between VF and IR 2) Low power losses Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Doppeldiode, gemeinsame Kathode Optimale Auswahl von VF und IR 2) Niedrige Verlustleistung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: auf 13” Rolle Weight approx. 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 3) Grenzwerte 3) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SK4035CD2 35 35 SK4040CD2 40 40 SK4045CD2 45 45 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 100°C IFAV
20 A 4)
40 A 5)
Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
290 A 4)
330 A 4)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) 6) Storage temperature – Lagerungstemperatur TS -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches 2 Refer to Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes” – Siehe Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Valid per diode – Gültig pro Diode
5 Valid per device (parallel operation) − Gültig pro Bauteil (Parallelbetrieb)
6 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test – Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 0.4 4.5 0.2± 1.2 5.08 0.8 1.3 Type Typ 10.25 ±0.5
SK4035CD2 ... SK4045CD2 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung Junction capacitance Sperrschichtkapazität VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj Cj [pF] 1) @ VR [V] SK4035CD2 ... SK4045CD2 < 0.47 typ. 0.30 5 25°C 125°C < 0.58 typ. 0.51 25°C 100°C typ. 720 4 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = 15 V IR < 200 µA 1) typ. 5 mA 1) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse Per diode – Pro Diode Per device – Pro Bauteil RthC < 3.0 K/W 2) < 1.5 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the case [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 125°Cj 102 10-1 10-2 [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj T = 75°Cj T = 50°Cj T = 150°Cj