SFE1A_07 DIOTEC | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 2

Technical content

SFE1A ... SFE1M SFE1A ... SFE1M Superfast Switching Surface Mount Si-Diodes Superschnelle Si-Dioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-26 Dimensions - Maße [mm] Nominal current – Nennstrom 1 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case MELF Kunststoffgehäuse MELF DO-213AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SFE1A 50 50 SFE1B 100 100 SFE1D 200 200 SFE1G 400 400 SFE1J 600 600 SFE1K 800 800 SFE1M 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T T = 100°C I FAV 1 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 10 A 1) Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t4 . 5 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C 1 Max. temperature of the terminals T T = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 2.5 5.0 0.5 0.5 Type Typ

SFE1A ... SFE1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit trr [ns] 1) Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] at / bei IF [A] SFE1A...SFE1D < 50 < 1.0 1 SFE1G < 50 < 1.25 1 SFE1J...SFE1M < 75 < 1.7 1 Leakage current Sperrstrom T j = 25°C V R = VRRM IR < 5 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT < 10 K/W 1I F = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A 2 Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the terminals 120 100 I FAV [%] [°C]TT 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [V]VF 0.1 SFE1A...D SFE1G SFE1J...M T = 25° Cj