SE1J DIOTEC | Alldatasheet
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Technical content
Features
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hohe ESD-Festigkeit Flache Bauform Einfache Montage Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.02 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einba ubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Code Rep. peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspg. VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SE1J RE7 600 600 ESD capability ESD-Festigkeit IEC 61000-4-2 HBM, Air discharge HBM, Luftentladung R = 330 Ω C = 150 pF VPP ± 25 kV Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C I FAV 1 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 5 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 22 A 25 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i 2t 3.6 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+150°C
1 Please note the
detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T A = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1.8 ±0.2 1.3 +0.1 3.7 ±0.2 2.8 ±0.2 Type Typ 0.2 ±0.1 0.6 ±0.25 0.3 Pb ELV W EEE RoHS Halogen FREE
Durchlass-Spannung Tj = 25°C I F = 1 A V F < 0.97 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C V R = VRRM IR < 5 µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA 120K/W 1) Typical thermal resistance junction to terminal Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT 30 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) IFAV [%] 120 100 [°C]T A 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 30a-(1a-1.2v) [µA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 10 10 [n] 10 2 3 [A] îF