DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
Features
Can be switched in series to a TVS, to reduce the total capacitance Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Bidirektionales Begrenzen Kann in Reihe zu einer TVS ge- schaltet werden, um die Gesamt- kapazität zu reduzieren Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 5000 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.12 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 SDA2AK SDA4AK Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 300 W 3) Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 25°C PM(AV) 1 W 4) Characteristics Kennwerte Type Typ Breakdown voltage Abbruch-Spannung at / bei IT = 1 A Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) VBRmin [V] VBRmax [V] VWM [V] ID [µA] VC [V] IPPM [A] SDA2AK 0.8 1.0 0.5 1000 2 40 SDA4AK 1.6 2.0 1.0 1000 4 40
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t), see e. g. datasheet TGL41 Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t), siehe z. B. Datenblatt TGL41 4 Mounted on P. C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Typ 5.0 ±0.3 2.5 0.1 0.2 0.5 0.4 0.5 0.4
SDA2AK, SDA4AK Characteristics Kennwerte Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 0 V Cj 800 pF Thermal resistance junction to ambienWärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung Thermal resistance junction to terminal – Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthA RthT < 45 K/W ) < 10 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] PPP [°C]TA 150100500 IPP Peak pulse power/current vs. ambient temperature ) Impuls-Spitzenleistung/Strom vs. Umgebungstemp. ) 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform IPP PPP 100 0 1 2 3 4[ms] [%] tP I /2PPM P /2PPM t = 10 µsr