SBY30100 DIOTEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
Features
Very high frequency operation Both pins = Anode Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hohe Sperrspannung Betrieb bei sehr hohen Frequenzen Beide Pins = Anode Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards 50/1000 Verpackt in Stange n/Kartons Weight approx. 2.2 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einba ubedingungen MSL N/A Maximum ratings 3) Grenzwerte 3) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SBY30100 100 100 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 100°C 4) I FAV 30 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz T C = 100°C 4) I FRM 45 A Peak forward surge current (half sine-wave) Stoßstrom in Fluss-Richtung (Sinus-Halbwelle)
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 220 A 250 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i 2t 240 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -40...+150°C -40...+150°C
1 Refer to application note “The perfect diode for pow er tool switches”
Siehe Applikationsschrift „The perfect diode for power tool switches”
2 Please note the
detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
3 T A = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Typ 5.08 ±0.1 0.8 ±0.2 1.3 ±0.1 10.1 ±0.3 3.9 ±0.3 2.8 ±0.3 13.9 ±0.3 14.9 ±0.4 Ø ±0.2 3.8 1.2 ±0.2 0.42 ±0.4 4.5 ±0.2 2.67 ±0.2 8.7 ±0.3
VF [V] @ I F [A] @ T j VF [V] @ I F [A] @ T j SBY30100 typ. 0.47 5 25°C < 0.91 30 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 50 µA typ. 20 mA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V C j 1000 pF Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.5 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Gehäusetemperatur 120 100 I FAV [%] [°C]TC 150100500