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Technical content
Features
Best trade-off between VF and IR 2) Low forward voltage drop High power dissipation Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Optimale Auswahl von VF und IR 2) Niedrige Fluss-Spannung Hohe Leistungsabgabe Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: auf 13” Rolle Weight approx. 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 3) Grenzwerte 3) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SBT2530 30 30 SBT2540 40 40 SBT2545 45 45 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 125°C IFAV 25 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 290 A 330 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 420 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Tj Tj -50...+150°C ≤ 200°C 2) 4) Storage temperature Lagerungstemperatur TS -50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Typ 5.08±0.1 0.8 ±0.2 1.3±0.1 10.1±0.3 3.9 ±0.3 2.8 ±0.3 13.9 ±0.3 14.9 ±0.7 Ø ±0.2 3.8 1.2 ±0.2 0.42 ±0.1 4.5±0.2 2.67±0.2 8.7 ±0.3
SBT2530 ... SBT2545 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj SBT2530 ... SBT2545 < 0.50 typ. 0.30 5 25°C 125°C < 0.58 typ. 0.51 25°C 100°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = 15 V IR < 200 µA typ. 5 mA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 720 pF Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.5 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the case [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 125°Cj 102 10-1 10-2 [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj T = 75°Cj T = 50°Cj T = 150°Cj