SBT1020_07 DIOTEC | Alldatasheet
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SBT1020 ... SBT10100 SBT1020 ... SBT10100 Schottky Barrier Rectifiers – Single Diode Schottky-Barrier-Gleichrichter – Einzeldiode Version 2007-06-27 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 10 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 20...100 V Plastic case – Kunststoffgehäuse TO-220AC Weight approx. Gewicht ca. 1.8 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5 A IF = 10 A SBT1020 20 20 < 0.48 < 0.55 SBT1030 30 30 < 0.48 < 0.55 SBT1040 40 40 < 0.48 < 0.55 SBT1045 45 45 < 0.48 < 0.55 SBT1050 50 50 < 0.63 < 0.70 SBT1060 60 60 < 0.63 < 0.70 SBT1090 90 90 < 0.78 < 0.85 SBT10100 100 100 < 0.78 < 0.85 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 100°C IFAV 10 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBT1020... SBT1060 TA = 25°C IFSM 135/150 A Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle SBT1090... SBT10100 TA = 25°C IFSM 115/125 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 80 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage – bei reduzierter Sperrspannung in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb VR ≤ 80% VRRM VR ≤ 50% VRRM Tj Tj Tj -50...+150°C ≤ 180°C ≤ 200°C
1 Tj = 25°C
1 Max. temperature of the case TC = 100°C – Max. Temperatur des Gehäuses TC = 100°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 15.7 13.2 3.4 10±0.2 1.5 0.9 5.08 3.8 Type Typ 1 2 3 1 2 3
SBT1020 ... SBT10100 Characteristics Kennwerte Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 300 µA < 7 mA Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 3 K/W 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) SBT1020...SBT1045 SBT1050, SBT1060 SBT1080, SBT10100 [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0