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Technical content
Features
High average forward current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Hoher Dauergrenzstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 1250 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] SB820 20 20 SB830 30 30 SB840 40 40 SB850 50 50 SB860 60 60 SB890 90 90 SB8100 100 100 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 8 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 30 A3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 155/180 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 132 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 5.4 62.5 ±0.5 7.5 ±0.1
SB820 ... SB8100 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung Junction capacitance Sperrschichtkapazität VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj Cj [pF] @ VR [V] Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 0.5 mA < 20 mA Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 19 K/W 1) Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 8 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) IFAV [%] 120 100 [°C]TA 150100500 SB820...SB840 SB850, SB860 SB890, SB8100 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)