S3A-Q DIOTEC | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
S3D-Q ... S3M-Q S3D-Q ... S3M-Q Surface Mount Silicon Rectifier Diodes (AEC-Q101) Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage (AEC-Q101) Version 2014-09-09 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 3 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 200...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMC ~ DO-214AB Weight approx. – Gewicht ca. 0.21 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] S3D-Q 200 200 S3G-Q 400 400 S3J-Q 600 600 S3K-Q 800 800 S3M-Q 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 3 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 100/110 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 50 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C 1 Mounted on P.C. board with 60 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 60 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 0.15 Type Typ 1.2 5.8±0.2 2.2±0.3 2.1±0.2 7.9±0.2 7.2±0.5
S3D-Q ... S3M-Q Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 3 A VF < 1.15 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 1 µA < 200 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 36 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 10 K/W 1 Mounted on P.C. board with 60 mm2 copper pads at each terminals Montage auf Leiterplatte mit 60 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the terminals 120 100 IFAV [%] [°C]TT 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 100a-(3a-1.2v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3