S1A_13 DIOTEC | Alldatasheet
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S1A ... S1Y S1A ... S1Y Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2013-10-14 Dimensions - Maße [mm] Nominal current – Nennstrom 1 A Plastic case Kunststoffgehäuse ~ SMA ~ DO-214AC Weight approx. – Gewicht ca. 0.07 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings and Characteristics 1) Grenz- und Kennwerte 1) Type Typ (Repetitive) Peak reverse voltage (Periodische-)Spitzensperrspannung Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current – Sperrstrom Tj = 100°C VRRM [V] / VRSM [V] VF [V] @ IF = 1A IR [µA] @ VRRM IR [µA] @ VRRM S1A 50 < 1.1 < 5 < 50 S1B 100 < 1.1 < 5 < 50 S1D 200 < 1.1 < 5 < 50 S1G 400 < 1.1 < 5 < 50 S1J 600 < 1.1 < 5 < 50 S1K 800 < 1.1 < 5 < 50 S1M 1000 < 1.1 < 5 < 50 S1T 1300 < 1.1 < 5 < 50 S1W 1600 < 1.1 < 5 < 50 S1X 1800 < 1.1 < 5 < 50 S1Y 2000 < 1.1 < 5 < 50 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 100°C IFAV 1 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 6 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 30/32 A Rating for fusing, t < 10 ms – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj typ. 12 pF Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Thermal resistance junction-ambient − Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung Thermal resistance junction-terminal − Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthA RthT < 70 K/W 2) < 30 K/W
1 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Typ 0.15 1 ± 0.3 4.5± 0.3 1.5 ±0.1 2.1± 0.2 2.2± 0.2 5± 0.2 2.7 0.2±
S1A ... S1Y 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the terminals 120 100 IFAV [%] [°C]TT 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 30a-(1a-1.1v) 10-1 [µA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 100 1 0.01 0.1 1 10 10 10 2 3 [s] [t ] p [%] Z R thA thA [pF] Cj VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3