S1A_19 DIOTEC | Alldatasheet
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Technical content
Features
For 1.5A and Avalanche version: Refer to BYG10 series Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten VRRM bis zu 2000 V Für 1.5A und Avalanche-Ausführung: siehe BYG10-Reihe Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einba ubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ DC blocking voltage Sperrgleichspannung VDC [V] 3) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] S1A 50 50 S1B 100 100 S1D 200 200 S1G/-Q/-AQ 320 400 400 S1J/-Q/-AQ 480 600 600 S1K 800 800 S1M/-Q/-AQ 800 1000 1000 S1T 1300 1300 S1W/-Q 1600 1600 S1X 1800 1800 S1Y/-Q 2000 2000 Max. average forward rectified current – Dauergrenzstrom in Einwegschaltung T T = 100°C I FAV 1 A Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz T T = 100°C I FRM 6 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 30 A 32 A Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i 2t 4.5 A 2s Reverse avalanche energy – Avalanche-Energie in Sperr-Richtung E RSM N/A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C
1 Please note the
detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 T A = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Ba uteile
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS Type Typ 0.15 + 0.1 1.1 ± 0.3 4.5 ± 0.3 1.5 ±0.1 2.1 ± 0.2 2.2 ± 0.2 ± 0.2 2.7 ± 0.2
S1A ... S1Y Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 1 A V F < 1.1 Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 50µA Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität V R = 4 V C j 6 pF Reverse recovery time – Sperrverzug I F = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A t rr typ. 1500 ns Typ. thermal resistance junction-ambient – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung 1) R thA 75 K/W Typ. thermal resistance junction-terminal – Typ. Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss R thT 30 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Mounted on P.C. board with 25 mm 2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferpad je Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the terminals 120 100 I FAV [%] [°C]TT 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 30a-(1a-1.1v) [µA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instantaneous leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspannung T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj 1 10 100 [pF] C j VR [V] Junction capacitance vs. reverse voltage (typical) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbw ellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 10 2 3 Relative transient thermal impedance vs. pulse duration (typical) Relativer transienter Wärmewiderstand über Impulsdauer (typisch) 100 1 0.01 0.1 1 10 10 10 2 3 [s] [t ]p [%] Z R thA thA