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Technical content
Features
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Halbbrücke in SMD Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards On request: on 13” reel 800 Verpackt in Stangen/Kartons Auf Anfrage: auf 13” Rolle Weight approx. 1.6 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 245°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 3) Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 3) S16ASD2 50 50 S16BSD2 100 100 S16DSD2 200 200 S16GSD2 400 400 S16JSD2 600 600 S16KSD2 800 800 S16MSD2 1000 1000 Max. average forward current, R-load Dauergrenzstrom mit R-Last TC = 100°C 4) IFAV
8 A 3)
16 A 5)
Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 4) IFRM 30 A 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
135 A 3)
150 A 3)
Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 90 A2s 3) Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Per diode – Pro Diode
4 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
5 Output current for two devices operated in a full bridge configuration
Ausgangsstrom bei Betrieb zweier Bauteile als Vollbrücke © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 0.4 4.5 0.2± 1.2 5.08 0.8 1.3 Type Typ 10.25 ±0.5
S16ASD2 ... S16MSD2 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj VF [V] 1) @ IF [A] @ Tj Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA 1) Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 40 pF 1) Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.5 K/W 1,2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Per diode – Pro Diode
2 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 200a-(5a-0.95v)