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Technical content
Features
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Extrem schnelles Schalten Niedrige Sperrschichtkapazität Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 4000 / 7“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) RB520S-30 Max. average forward current Dauergrenzstrom DC IFAV 200 mA 3) Peak forward surge current Stoßstrom in Flussrichtung tp ≤ 8.3 ms IFSM 1 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM 30 V Blocking voltage Sperrspannung DC 4) VDC 24 V Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -40...+125°C -40…+125°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
4 Defined for -AQ parts only – Nur definiert für -AQ Bauteile
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 1.2 0.12 0.8 0.35 0.7 1.6 Type Code
Forward voltage 1) Durchlass-Spannung 1) Tj = 25°C IF = 200 mA VF < 0.6 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = 10 V IR < 1 µA Typ. junction capacitance Typ. Sperrschichtkapazität VR = 4 V, f = 1 MHz CT 10 pF Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA < 620 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% 2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG [%] Ptot 120 100 [°C]TA 150100500 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 125°Cj[A] IF T = -40°Cj 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj