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Technical content
Features
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hohe Stoßstromfestigkeit VRRM bis zu 1000 V Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in cardboard trays 1000 Verpackt in Einlagekartons Weight approx. 1.9 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Marking: Kennzeichnung: Colored ring denotes “cathode” Farbiger Ring kennzeichnet “Kathode” Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Repetive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] RA351 100 100 RA352 200 200 RA354 400 400 RA356 600 600 RA358 800 800 RA3510 1000 1000 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 110°C 3) IFAV 25 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 375 A 400 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 680 A2s Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Temperature measured at the metallic terminals – Temperatur an den metallischen Anschlüssen gemessen
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Pb ELV W EEE RoHS 4.2 6.2 ±0.2 8.5 5.6
RA251 ... RA2510 Characteristics Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 80 A VF < 1.1 V Leakage Current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR < 5 µA < 250 µA Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 1.0 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Temperature measured at the metallic terminals – Temperatur an den metallischen Anschlüssen gemessen
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3 (375a-25a) 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj 375a-(25a-1,1v)