RA32Z39 DIOTEC | Alldatasheet
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Silicon Protectifiers® with TVS characteristic – Button Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Knopf-Zellen Version 2009-01-21 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 32 A Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung 39 V Plastic case Kunststoffgehäuse Button Weight approx. Gewicht ca. 1.9 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA 1) Reverse voltage Sperrspannung IR = 1 µA 1) VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] RA32Z39 35 42 > 30 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C IFAV 32 A Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle IFSM 270/300 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 375 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+215°C -50...+215°C
1 Tj = 25°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Forward Voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 100 A VF < 1.2 V 1) Leakage current – Sperrstrom Tj = 150°C VR = 30 V IR < 500 µA Clamping voltage Begrenzerspannung Tj = 25°C Ipp = 80 A VC < 56.4 V 2) Thermal resistance junction to case (terminal) Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse (Anschluss) RthC < 0.8 K/W
1 Tested with pulses tp = 100 ms – Gemessen mit Impulsen tp = 100 ms
2 10/1000µs pulse – 10/1000 µs Impuls 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. [°C]TC 150100500 200 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 270a-(25a-1,1v)