DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 2
Technical content
Features
Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten VRRM bis zu 1000 V Hohe Leistungsfähigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Packed in tubes/cardboards 50/1000 Verpackt in Stangen/Kartons Weight approx. 1.8 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] PT800A 50 50 PT800B 100 100 PT800D 200 200 PT800G 400 400 PT800J 600 600 PT800K 800 800 PT800M 1000 1000 Max. average forward current, R-load Dauergrenzstrom mit R-Last TC = 100°C 3) IFAV 8 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 3) IFRM 30 A Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM 135 A 150 A Rating for fusing Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 90 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Typ 5.08±0.1 0.8 ±0.2 1.3±0.1 10.1±0.3 3.9 ±0.3 2.8 ±0.3 13.9 ±0.3 14.9 ±0.7 Ø ±0.2 3.8 1.2 ±0.2 0.42 ±0.1 4.5±0.2 2.67±0.2 8.7 ±0.3 Pb ELV W EEE RoHS
PT800A ... PT800M Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] @ IF [A] @ Tj VF [V] @ IF [A] @ Tj Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 5 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 85 pF Typical thermal resistance junction to case Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC 2.5 K/W 1) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current vs. temp. of the case in Abh. v. d. GehäusetemperaturZul. Richtstrom 120 100 IFAV [%] [°C]TC 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25°Cj T = 125°Cj 200a-(5a-0.95v)