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Technical content
Features
Best trade-off between VF and IR 2) Low VF and low IR High power dissipation Low profile package Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Optimale Auswahl von VF und IR 2) Niedriges VF und niedriges IR Hohe Leistungsfähigkeit Flache Bauform Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle Weight approx. 0.1 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 3) Grenzwerte 3) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] PPL2060 60 60 Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung TC = 100°C 4) IFAV 20 A 5) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz TC = 100°C 4) IFRM 50 A 5) Peak forward surge current Stoßstrom in Fluss-Richtung Half sine-wave Sinus-Halbwelle
50 Hz (10 ms)
60 Hz (8.3 ms) IFSM
250 A 5)
275 A 5)
Rating for fusing – Grenzlastintegral t < 10 ms i2t 312 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj Tj TS -50...+150°C ≤ 200°C 2,6) -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 For more details, ask for the Diotec Application Note “Reliability of Bypass Diodes”
Weitere Infos in der Diotec Applikationsschrift „Reliability of Bypass Diodes”
3 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
4 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
5 Both anode pins connected – Beide Anodenanschlüsse kontaktiert
6 Meets the Requirements of IEC 61215 bypass diode thermal test
Erfüllt die Anforderungen des IEC 61215 Bypass-Diodentests © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 5.3±0.2 3.3±0.2 4.0±0.2 0.6 0.3±0.1 1.1±0.2 6.5±0.1 0.9 1.8±0.1 LYYWW 0.8±0.15 1.84 1.3±0.2 3.0±0.1 Pb ELV W EEE RoHS Halogen FREE
VF [V] Tj = 125°C 1) Forward Voltage Durchlass-Spannung VF [V] Tj = 25°C 1) IF = 2 A IF = 20 A IF = 2 A IF = 20 A Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM IR typ. 80 µA < 150 µA typ. 50 mA Typical junction capacitance – Typische Sperrschichtkapazität VR = 4 V Cj 800 pF Thermal resistance junction to case – Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2 K/W 2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Both anode pins connected – Beide Anodenanschlüsse kontaktiert
2 Measured at heat flange – Gemessen an der Kühlfahne
2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) PPL2060 [A] IF 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 T = 25°Cj T = 125°Cj 10-1 [mA] IR
0 VRRM 40 60 80 100 [%]
Typ. instant. leakage current vs. rev. voltage Typ. Sperrstrom (Augenblickswert) ü. Sperrspg. T = 25°Cj T = 100°Cj T = 125°Cj T = 75°Cj T = 50°Cj T = 150°Cj 120 100 [%] IFAV Rated forward current vs. temp. of the case )2 [°C]TC 150100500 DC forward