PHMB800BS12_15 NI | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 4
Technical content
(2/5） ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ８ ００ Ａ ， １ ２ ０ ０ Ｖ ＰＨＭＢ８００ＢＳ１２ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ 2 -M4 4 - Ø6.5 2 -M8 110 93 ±0. 25 62±0. 25 20 20 13 21 29 +1.0 - 0.536 25.5 +1.0 - 0.5 237 LABEL (C) (E ) (E ) (G) Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ８ ０ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＣＰ １，６００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ４，８００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔ ｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ（ＲＭＳ） Ｍ o d u l e Ｂ a s e t o Ｈ e a t s i n k ３ （３０.６） Ｍ４ １.４ （１４.３） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｔerminals Ｆｔｏｒ １０.５ （１０７ ） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ８.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage Ｖ ＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － ２.３ ２.７ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 50,400 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 0.75Ω ＲG= 2.0Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ ＩＦ ８ ０ ０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １，６００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 800A,ＶＧＥ= 0V － ２.２ ２.６ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1600A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.０２６ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０．０５４ ℃／Ｗ 日本インター株式会社
(3/5） ＰＨＭＢ８００ＢＳ１２ 012345 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 012345 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) TC=125°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 048 1 2 1 6 2 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25°C IC=400A 1600A 800A 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=400A 1600A TC=125°C 800A 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=0.75A TC=25°C 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 100 300 1000 3000 10000 30000 100000 300000 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Capacitance C (pF) Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25°C 日本インター株式会社
(4/5） ＰＨＭＢ８００ＢＳ１２ 0 200 400 600 800 0.4 0.8 1.2 1.6 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr(VCE) tON VCC=600V RG=2.0A VGE=±15V TC=25°C Resistive Load 1 3 10 30 0.03 0.1 0.3 Series Gate Impedance RG (A) Switching Time t (µs) Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=600V IC=800A VGE=±15V TC=25°C Resistive Load tf tr(VCE) ton toff 0 200 400 600 800 1000 0.01 0.03 0.1 0.3 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time tOFF tf tr(Ic) tON VCC=600V RG=2.0A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load 1 3 10 30 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (A) Switching Time t (µs) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time VCC=600V IC=800A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load tf tr(IC) ton toff 0 200 400 600 800 1000 1200 100 150 200 250 Collector Current IC (A) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss EOFF EON VCC=600V RG=2.0A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 1 3 10 30 100 300 1000 3000 Series Gate Impedance RG (A) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss EOFF EON VCC=600V IC=800A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 日本インター株式会社
(5/5） 日本インター株式会社 ＰＨＭＢ８００ＢＳ１２ 01234 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Forward Voltage VF (V) Forward Current I F (A) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25°C TC=125°C 0 800 1600 2400 3200 4000 4800 5600 100 300 1000 -di/dt (A/µs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=800A TC=25°C TC=125°C 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 01 1x10-4 3x10-4 1x10-3 3x10-3 1x10-2 3x10-2 1x10-1 3x10-1 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Fig.16- Transient Thermal Impedance TC=25°C
1 Shot Pulse
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0.1 0.3 100 300 1000 3000 5000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area RG=2.0A, VGE=±15V, T C=125°C