PHMB800B12_15 NI | Alldatasheet
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日本インター株式会社 QS043-401M0056 (2/4) ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ８ ０ ０ Ａ，１２００Ｖ ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage Ｖ ＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ８ ０ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ １，６００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ３，４００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔ ｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍ o d u l e Ｂ a s e t o Ｈ e a t s i n k ３ （ ３ ０ . ６ ） Ｍ４ １.４（１４.３） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆ ｔｏｒ Ｍ８ １０.５（１０７） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent Ｉ ＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － １６ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｉ ＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 800A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 800mA ４ － ８ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃ ｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 66,000 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 0.75Ω ＲG= 0.5Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ８ ０ ０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １，６００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｖ Ｆ Ｉ Ｆ= 800A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔ ｒｒ ＩＦ= 800A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1600A/μs － ０.２５ ０.３５ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.０３６ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.０６５ ℃／Ｗ (C) (E ) (E ) (G) 2 -M4 4 - Ø6.5 2 -M8 110 93 ±0. 25 62±0. 25 20 20 13 21 29 +1.0 - 0.536 25.5 +1.0 - 0.5 237 LABEL
日本インター株式会社 QS043-401-M0056 (3/4) ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 800A IC=400A 1600A 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=400A 800A 1600A TC=125℃ 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=0.75Ω TC=25℃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000 200000 500000 1000000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Capacitance C (pF) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 0 200 400 600 8000 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 Collector Current I C (A) Switching Time t (μs) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr tON VCC=600V RG=0.5Ω VGE=±15V TC=25℃ 02468 1 00 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 10V 12V 15V VGE=20V
日本インター株式会社 QS043-401-M0056 (4/4) ＰＨＭＢ８００Ｂ１２ 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance R G (Ω) Switching Time t (μs) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=600V IC=800A VGE=±15V TC=25℃ tf tr ton toff 012340 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 Forward Voltage VF (V) Forward Current I F (A) Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25℃ TC=125℃ 0 800 1600 2400 3200 4000 480050 100 200 500 1000 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IF=800A TC=25℃ IRrM trr 11 0 2x10 5x10 2x10 5x10 2x10 5x10 1x10 2x10 Time t （s） Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) fig11-Tansient Thermal Impedance Tc=25℃
1 Shot
0 400 800 1200 16000.2 0.5 100 200 500 1000 2000 5000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area RG=0.5Ω VGE=±15V TC≦125℃