PHMB600B12_15 NI | Alldatasheet
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日本インター株式会社 QS043-401M0055 (2/4) ＰＨＭＢ６００Ｂ１２ ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｓｉｎｇｌｅ ６ ００ Ａ，１２００Ｖ ＰＨＭＢ６００Ｂ１２Ｃ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ６ ０ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ Ｉ ＣＰ １，２００ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ２，８００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔ ｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ３（３０．６） Ｍ４ １ ．４（１４．３） Ｍ６ ３（３０．６） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ Ｍ８ １０．５（１０７） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent Ｉ ＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － １２ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent Ｉ ＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 600A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 600mA ４ － ８ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃ ｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 50,000 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1Ω ＲG= 1Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ６ ０ ０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １，２００ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage Ｖ Ｆ Ｉ Ｆ= 600A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔ ｒｒ ＩＦ= 600A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 1200A/μs － ０.２５ ０.３５ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.０４４ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.０８５ ℃／Ｗ 2025.5 23 13 4 - Ø6.5 2 -M6 108 24 20 29 2 -M4 2 1 LABEL (C) (E ) (E ) (G) 2 -M4 4 - Ø6.5 2 -M8 110 93 ±0. 25 62±0. 25 20 20 13 21 29 +1.0 - 0.536 25.5 +1.0 - 0.5 237 LABEL PH MB600B12 PH MB600B12C
日本インター株式会社 QS043-401M0055 (3/4) ＰＨＭＢ６００Ｂ１２ ＰＨＭＢ６００Ｂ１２Ｃ 0 800 1600 2400 3200 4000 4800 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=1Ω TC=25℃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000 200000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Capacitance C (pF) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 600A IC=300A 1200A 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=300A 600A 1200A TC=125℃ 02468 1 00 200 400 600 800 1000 1200 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 10V 12V 15V VGE=20V 0 100 200 300 400 500 6000 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 1.6 Collector Current I C (A) Switching Time t (μs) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr tON VCC=600V RG=0.82Ω VGE=±15V TC=25℃
日本インター株式会社 012340 200 400 600 800 1000 1200 Forward Voltage V F (V) Forward Current I F (A) Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25℃ TC=125℃ QS043-401M0055 (4/4) ＰＨＭＢ６００Ｂ１２ ＰＨＭＢ６００Ｂ１２Ｃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 200.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (Ω) Switching Time t (μs) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=600V IC=600A VGE=±15V TC=25℃ tf tr ton toff 0 600 1200 1800 2400 3000 360010 100 200 300 500 1000 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IF=600A TC=25℃ IRrM trr 11 0 Time t （s） 2x10 5x10 2x10 5x10-3 2x10 5x10 2x10 Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) fig11-Tansient Thermal Impedance 1x10 1x10 1x10 Tc=25℃
1 Shot
0 400 800 1200 16000.2 0.5 100 200 500 1000 2000 5000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area RG=0.82Ω VGE=±15V TC≦125℃