PGH75N16_15 NI | Alldatasheet
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Technical content
■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ 総合定格・特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 平均出力電流 Average Rectified Output Current Io (AV) 三相全波整流 3-Phase Full Wave Rectified TC=125℃（電圧印加なし） Non-Biased for Thyristor 75 A TC=101℃（電圧印加あり） Biased for Thyristor 75 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range Tjw 125～150℃はｻｲﾘｽﾀ部に順阻止電圧を 印加しない事 Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor -40 ～ +150 ℃ 保存温度範囲 Storage Temperature Range Tstg -40 ～ +125 ℃ 絶縁耐圧 Isolation Voltage Viso 端子－ベース間，AC 1分間 Terminal to Base, AC 1min. 2500 V 締付トルク Mounting Torque ベース部 Mounting F ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Greased Ｍ５ 2.4 ～ 2.8 Ｎ・ｍ 主端子部 Terminal Ｍ５ 2.4 ～ 2.8 ゲート端子部 Gate Terminal － － ■熱特性 Thermal Characteristics 項 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 接触熱抵抗 Thermal Resistance Rth(c-f) ｹｰｽ－ﾌｨﾝ間(ﾄｰﾀﾙ)､ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Case to Fin , Total , Greased 0.06 ℃/Ｗ ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies) ■最大定格 Maximum Rating 項 目 Parameter 記 号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧 *1 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 1600 V 非くり返しﾋﾟｰｸ逆電圧 *1 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 1700 V 項 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit サージ順電流 * 1 Surge Forward Current IFSM 50Hz正弦半波，1ｻｲｸﾙ，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 600 A 電流二乗時間積 * 1 I Squared t I2t 2～10ms 1800 A2ｓ 許容周波数 Allowable Operating Frequency f 400 Hz *1：1ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm. ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ 75Ａ Ａvg 1600 Ｖolts PGH75N16
ダイオードブリッジ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 dies) ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter 記 号 Symbol 条件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit ピーク逆電流 *1 Peak Reverse Current IRM Tj = 125℃, VRM = VRRM 5 m A ピーク順電圧 *1 Peak Forward Voltage VFM Tj = 25℃, IFM =75A 1.25 V 熱抵抗 Thermal Resistance Rth(j-c) 接合部―ｹｰｽ間(ﾄｰﾀﾙ) Junction to Case , Total 0.09 ℃/Ｗ *1：1ｱｰﾑ当たりの値 Value Per 1 Arm. サイリスタ部(１素子) Part of Thyristor(1 die) ■最大定格 Maximum Rating 項 目 Parameter 記 号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧 *2 Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM 1600 V 非くり返しﾋﾟｰｸオフ電圧 *2 Non-Repetitive Peak Off-State Voltage VDSM 1700 V *2：逆電圧を印加しないこと Can not be Biased for Thyristor 項 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit サージオン電流 Surge On-State Current IＴSM 50Hz正弦半波，1ｻｲｸﾙ，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 1200 A 電流二乗時間績 I Squared t I2t 2～10ms 7200 A2ｓ 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current di/dt VD = 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃ IG = 200mA, diG/dt = 0.2A/μs 100 A/μs ピークゲート電力損失 Peak Gate Power PGM 5 W 平均ゲート電力損失 Average Gate Power PG(AV) 1 W ピークゲート電流 Peak Gate Current IGM 2 A ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage VGM 10 V ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage VRGM 5 V ■電気的特性 Electrical Characteristics 項 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 最小 Min 標準 Typ 最大 Max ピークオフ電流 Peak Off-State Current IDM Tj = 125℃, VDM = VDRM 15 mA ピークオン電圧 Peak Off-State Voltage VTM Tj = 25℃, ITM = 75A 1.20 V トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT V D = 6 V, IT = 1A Tj =－40℃ 200 mA Tj = 25℃ 100 Tj = 125℃ 50 トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger VGT V D = 6 V, IT = 1A Tj =－40℃ 4.0 V Tj = 25℃ 2.5 Tj = 125℃ 2.0 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage VGD Tj =125℃, VD = 2/3 VDRM 0.25 V 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage dv/dt Tj =125℃, VD = 2/3 VDRM 500 V/μs ターンオフ時間 Turn-Off Time t q Tj =125℃, ITM = Io, VD = 2/3 VDRM dv/dt = 20V/μs, VR = 100V, ‐di/dt = 20A/μs 150 μs ターンオン時間 Turn-On Time t gt Tj =25℃, VD = 2/3 VDRM , IT=3・IO IG = 200mA, diG/dt = 0.2A/μs 6 μs
項 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 特性値（最大） Maximum Value 単位 Unit 最小 Min 標準 Typ 最大 Max 遅れ時間 Delay Time t d Tj =25℃, VD = 2/3 VDRM , IT=3・IO IG = 200mA, diG/dt = 0.2A/μs 2 μs 立ち上がり時間 Rise Time t r 4 μs ラッチング電流 Latching Current I L Tj =25℃ 100 mA 保持電流 Holding Current I H Tj =25℃ 80 mA 熱抵抗 Thermal Resistance Rth(j-c) 接合部－ケース間 Junction to Case 0.3 ℃/W ■質量 Approximate Weight －－－ 約 ２２５ｇ ■定格・特性曲線