PGH75N16 KSS | Alldatasheet
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Technical content
■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING ）imen上ion:［mm］ 総合定格࣭特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Maximum Ratings 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit 平均出力電流 AverageRectifiedOutputCurrent Io(AV) ୕相全波整流 3-PhaseFull WaveRectified TC=125し㸧 Non-BiasedforThyristor 75 A TC=101℃㸦電圧印加あり㸧 BiasedforThyristor 75 動作接合温度範囲 OperatingJunctionTemperatureRange Tjw 125～150逆電圧を Tj＞125℃,CannotbeBiasedforThyristor -40～+150 ℃ 保存温度範囲 StorageTemperatureRange Tstg -40～+125 ℃ 絶縁耐圧 IsolationVoltage Viso間㸪AC1分間 TerminaltoBase,AC1min. 2500 V MountingTorque 部 Mounting F 㺙㺎ﾏ㺷㺘㺻㺨㺽㺑㺻ﾄ㺼塗布 Greased M5 2.4～2.8 ｍ 主端子部 Terminal M5 2.4～2.8 ト端子部 GateTerminal 㸫 㸫 ■熱特性 Thermal Characteristics 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 特性値㸦最大㸧 MaximumValue 単位 Unit 接触熱抵抗 ThermalResistance Rth(c-f) 㺗㺎ｽ㸫㺪ｨ㺻間(ﾄ㺎ﾀ㺷)､㺙㺎ﾏ㺷㺘㺻㺨㺽㺑㺻ﾄ㺼塗布 CasetoFin,Total,Greased 0.06 ℃/Ｗ ࢲイオ࣮ドブリッࢪ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.) ■最大定格 Maximum Rating 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit くり返し㺩㺽㺎㺖逆電圧 *1 RepetitivePeakReverseVoltage VRRM 1600 V 非くり返し㺩㺽㺎㺖逆電圧 *1 Non-RepetitivePeakReverseVoltage VRSM 1700 V 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit 㡰電流 *1 SurgeForwardCurrent IFSM 50Hz正弦半波㸪1㺙㺐㺖㺷㸪非くり返し HalfSineWave,1Pulse,Non-Repetitive 600 A 電流乗時間積 *1 I Squaredt I2t 2～10ms 1800 A2ｓ 許容周波数 AllowableOperatingFrequency f 400 Hz *1値ValuePer1Arm. ᾣᾗＹᾡᾘᾢᾣＯᾡ ᵕᵓＡ Ａvg ᵏᵔᵎᵎ Ｖolᶒᶑ PGH75N16
ࢲイオ࣮ドブリッࢪ部(6 素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.) ■電気的特性 Electrical Characteristics 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 特性値㸦最大㸧 MaximumValue 単位 Unit 逆電流 *1 PeakReverseCurrent IRM Tj=125℃, VRM=VRRM 5 mA 㡰電圧 *1 PeakForwardVoltage VFM Tj=25℃, IFM=75A 1.25 V 熱抵抗 ThermalResistance Rth(j-c) 接合部―㺗㺎ｽ間(ﾄ㺎ﾀ㺷) JunctiontoCase,Total 0.09 ℃/Ｗ *1値ValuePer1Arm. サイリࢫࢱ部(１素子) Part of Thyristor(1 Arm.) ■最大定格 Maximum Rating 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit 電圧 *2 RepetitivePeakOff-StateVoltage VDRM 1600 V 電圧 *2 Non-RepetitivePeakOff-StateVoltage VDSM 1700 V *2いことCannotbeBiasedforThyristor 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max.RatedValue 単位 Unit オン電流 SurgeOn-StateCurrent ITSM 50Hz正弦半波㸪1㺙㺐㺖㺷㸪非くり返し HalfSineWave,1Pulse,Non-Repetitive 1200 A 電流乗時間績 ISquaredt I2t 2～10ms 7200 A2ｓ 臨界オン電流ୖ昇率 CriticalRateofRiseofTurned-OnCurrent di/dt VD=2/3VDRM, ITM =2࣭Io, Tj=125℃ IG=200mA, diG/dt=0.2A/μs 100 A/μs ト電力損失 PeakGatePower PGM 5 W ト電力損失 AverageGatePower PG(AV) 1 W ト電流 PeakGateCurrent IGM 2 A ト電圧 PeakGateVoltage VGM 10 V ト逆電圧 PeakGateReverseVoltage VRGM 5 V ■電気的特性 Electrical Characteristics 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条 件 Conditions 特性値㸦最大㸧 MaximumValue 単位 Unit最小 Min 標準 Typ 最大 Max 電流 PeakOff-StateCurrent IDM Tj=125℃, VDM=VDRM 15 mA オン電圧 PeakOff-StateVoltage VTM Tj=25℃, ITM=75A 1.20 V ト電流 GateCurrenttoTrigger IGT VD=6V, IT=1A Tj=㸫40℃ 200 mATj= 25℃ 100 Tj=125℃ 50 ト電圧 GateVoltagetoTrigger VGT VD=6V, IT=1A Tj=㸫40℃ 4.0 V Tj= 25℃ 2.5 Tj=125℃ 2.0 ト電圧 GateNon-TriggerVoltage VGD Tj=125℃, VD=2/3VDRM 0.25 V 電圧ୖ昇率 CriticalRateof RiseofOff-StateVoltage dv/dt Tj=125℃, VD=2/3VDRM 500 V/μs 時間 Turn-OffTime tq Tj=125℃, ITM=Io, VD=2/3VDRM dv/dt=20V/μs, VR=100V,‐di/dt=20A/μs 150 μs
㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条 件 Conditions 特性値㸦最大㸧 MaximumValue 単位 Unit最小 Min 標準 Typ 最大 Max ンオン時間 Turn-OnTime tgt Tj=25℃, VD=2/3VDRM, IT=3࣭IO IG=200mA, diG/dt=0.2A/μs 6 μs 遅れ時間 DelayTime td 2 μs 立ちୖがり時間 RiseTime tr 4 μs 電流 LatchingCurrent IL Tj=25℃ 100 mA 保持電流 HoldingCurrent IH Tj=25℃ 80 mA 熱抵抗 ThermalResistance Rth(j-c) 間 JunctiontoCase 0.3 ℃/W 質 量‐-‐約225ｇ ApproximateWeight
Transient Thermal Impedance 過 渡 熱 抵 抗 特 性 PGH75N16(Diode Per 1 Arm.) Time t (s) 時間 t (s) 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W) 過 渡 熱 抵 抗 㸦ﾟ（/W㸧 Transient Thermal Impedance 過 渡 熱 抵 抗 特 性 PGH75N16(Thyristor) Time t (s) 時間 t (s) 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W) 過 渡 熱 抵 抗 㸦ﾟ（/W㸧