PGH150N16 KSS | Alldatasheet

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Technical content

■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ 総合定格࣭特性 Part of Diode Bridge & Thyristor ■最大定格 Maximum Ratings 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 平均出力電流 Average Rectified Output Current Io (AV) ୕相全波整流 3-Phase Full Wave Rectified TC= 113し㸧 Non-Biased for Thyristor 150 A TC= 88℃㸦電圧印加あり㸧 Biased for Thyristor 150 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range Tjw 125～150㡰阻Ṇ電圧を Tj＞125℃ , Can not be Biased for Thyristor -40 ～ +150 ℃ 保存温度範囲 Storage Temperature Range Tstg -40 ～ +125 ℃ 絶縁耐圧 Isolation Voltage Viso 間㸪AC 1分間 Terminal to Base, AC 1min. 2500 V Mounting Torque 部 Mounting F 㺙㺎ﾏ㺷㺘㺻㺨㺽㺑㺻ﾄ㺼塗布 Greased 㹋6 2.5 ～ 3.5 ｍ 主端子部 Terminal 㹋6 2.5 ～ 3.5 ト端子部 Gate Terminal M4 1.2 ～ 1.6 ■熱特性 Thermal Characteristics 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 特性値㸦最大㸧 Maximum Value 単位 Unit 接触熱抵抗 Thermal Resistance Rth(c-f) 㺗㺎ｽ㸫㺪ｨ㺻間(ﾄ㺎ﾀ㺷)､㺙㺎ﾏ㺷㺘㺻㺨㺽㺑㺻ﾄ㺼塗布 Case to Fin , Total , Greased 0.06 ℃/Ｗ ࢲイオ࣮ドブリッࢪ部(6素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.) ■最大定格 Maximum Rating 㡯 目 Parameter 記 号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit くり返し㺩㺽㺎㺖逆電圧 *1 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM 1600 V 非くり返し㺩㺽㺎㺖逆電圧 *1 Non-Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 1700 V 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit 㡰電流 *1 Surge Forward Current IFSM 50Hzṇ弦半波㸪1㺙㺐㺖㺷㸪非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 1200 A 電流஧乗時間積 *1 I Squared t I2t 2～10ms 7200 A2ｓ 許容周波数 Allowable Operating Frequency f 400 Hz *1：1値 Value Per 1 Arm. ᾣᾗＹᾡᾘᾢᾣＯᾡ 150Ａ Ａvg 1600 Ｖolts PGH150N16

ࢲイオ࣮ドブリッࢪ部(6素子) Part of Diode Bridge(6 Arm.) ■電気的特性 Electrical Characteristics 㡯 目 Parameter 記 号 Symbol 条件 Conditions 特性値㸦最大㸧 Maximum Value 単位 Unit 逆電流 *1 Peak Reverse Current IRM Tj = 125℃, VRM = VRRM 15 m A 㡰電圧 *1 Peak Forward Voltage VFM Tj = 25℃, IFM = 150A 1.32 V 熱抵抗 Thermal Resistance Rth(j-c) 接合部―㺗㺎ｽ間(ﾄ㺎ﾀ㺷) Junction to Case , Total 0.08 ℃/Ｗ *1：1値 Value Per 1 Arm. サイリࢫࢱ部(１素子) Part of Thyristor(1 Arm.) ■最大定格 Maximum Rating 㡯 目 Parameter 記 号 Symbol 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit 電圧 *2 Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM 1600 V 電圧 *2 Non-Repetitive Peak Off-State Voltage VDSM 1700 V *2いこと Can not be Biased for Thyristor 㡯 目 Parameter 記号 Symbol 条件 Conditions 定格値 Max. Rated Value 単位 Unit オン電流 Surge On-State Current IＴSM 50Hzṇ弦半波㸪1㺙㺐㺖㺷㸪非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 3200 A 電流஧乗時間績 I Squared t I2t 2～10ms 51200 A2ｓ 臨界オン電流ୖ昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current di/dt VD = 2/3 VDRM, ITM = 2࣭Io, Tj =125℃ IG = 300mA, diG/dt = 0.2A/μs 100 A/μs ト電力損失 Peak Gate Power PGM 5 W ト電力損失 Average Gate Power PG(AV) 1 W ト電流 Peak Gate Current IGM 2 A ト電圧 Peak Gate Voltage VGM 10 V ト逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage VRGM 5 V ■電気的特性 Electrical Characteristics 㡯 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 特性値㸦最大㸧 Maximum Value 単位 Unit 最小 Min 標準 Typ 最大 Max 電流 Peak Off-State Current IDM Tj = 125℃, VDM = VDRM 50 mA オン電圧 Peak Off-State Voltage VTM Tj = 25℃, ITM = 150A 1.22 V ト電流 Gate Current to Trigger IGT V D = 6 V, IT = 1A Tj =㸫40℃ 300 mA Tj = 25℃ 150 Tj = 125℃ 80 ト電圧 Gate Voltage to Trigger VGT V D = 6 V, IT = 1A Tj =㸫40℃ 5.0 V Tj = 25℃ 3.0 Tj = 125℃ 2.0 ト電圧 Gate Non-Trigger Voltage VGD Tj =125℃, VD = 2/3 VDRM 0.25 V 電圧ୖ昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage dv/dt Tj =125℃, VD = 2/3 VDRM 500 V/μs 時間 Turn-Off Time t q Tj =125℃, ITM = Io, VD = 2/3 VDRM dv/dt = 20V/μs, VR = 100V, ‐di/dt = 20A/μs 150 μs

㡯 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 特性値㸦最大㸧 Maximum Value 単位 Unit 最小 Min 標準 Typ 最大 Max ンオン時間 Turn-On Time t gt Tj =25℃, VD = 2/3 VDRM , IT=3࣭IO IG = 300mA, diG/dt = 0.2A/μs 6 μs 遅れ時間 Delay Time t d 2 μs 立ちୖがり時間 Rise Time t r 4 μs 電流 Latching Current I L Tj =25℃ 150 mA 保持電流 Holding Current I H Tj =25℃ 100 mA 熱抵抗 Thermal Resistance Rth(j-c) 間 Junction to Case 0.22 ℃/W 質量 … 約450g Approximate Weight

FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE 順 電 圧 特 性 PGH150N16 (per Arm) 0 1 2 3 4 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) 瞬 時 順 電 圧 㸦㹔㸧 100 200 500 1000 2000 INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A) 瞬 時 順 電 流 㸦Ａ㸧 Tj=25°C Tj=150°C FORWARD CURRENT VS. VOLTAGE 順 電 圧 特 性 PGH150N16 (per Arm) 0 1 2 3 4 INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V) 瞬 時 順 電 圧 㸦㹔㸧 100 200 500 1000 2000 INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (A) 瞬 時 順 電 流 㸦Ａ㸧 Tj=25°C Tj=150°C PGH150N16(Diode Per 1 Arm.)

ON-STATE CURRENT VS. VOLTAGE オ ン 電 圧 特 性 PGH150N16 0 1 2 3 4 5 6 7 INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (V) 瞬 時 オ ン 電 圧 㸦㹔㸧 100 200 500 1000 2000 5000 INSTANTANEOUS ON-STATE CURRENT (A) 瞬 時 オ ン 電 流 㸦Ａ㸧 Tj=25°C Tj=150°C ON-STATE CURRENT VS. VOLTAGE オ ン 電 圧 特 性 PGH150N16 0 1 2 3 4 5 6 7 INSTANTANEOUS ON-STATE VOLTAGE (V) 瞬 時 オ ン 電 圧 㸦㹔㸧 100 200 500 1000 2000 5000 INSTANTANEOUS ON-STATE CURRENT (A) 瞬 時 オ ン 電 流 㸦Ａ㸧 Tj=25°C Tj=150°C PGH150N16(Thyristor)

AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION 平 均 オ ン 電 力 損 失 特 性 0 40 80 120 160 AVERAGE ON-STATE CURRENT (A) 平 均 オ ン 電 流 㸦Ａ㸧 120 160 AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION (W) 平 均 オ ン 電 力 損 失 㸦㹕㸧 PGH150N16 0° 180° 通流角 CONDUCTION ANGLE D.C. AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION 平 均 オ ン 電 力 損 失 特 性 0 40 80 120 160 AVERAGE ON-STATE CURRENT (A) 平 均 オ ン 電 流 㸦Ａ㸧 120 160 AVERAGE ON-STATE POWER DISSIPATION (W) 平 均 オ ン 電 力 損 失 㸦㹕㸧 PGH150N16 0° 180° 通流角 CONDUCTION ANGLE D.C. PGH150N16(Thyristor) AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION 平 均 順 電 力 損 失 特 性 0 40 80 120 160 AVERAGE OUTPUT CURRENT (A) 平 均 出 力 電 流 㸦Ａ㸧 100 150 200 250 300 350 400 AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W) 平 均 順 電 力 損 失 㸦㹕㸧 PGH150N16 (Total) 0° 180° 通流角 CONDUCTION ANGLE 3PHASE AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION 平 均 順 電 力 損 失 特 性 0 40 80 120 160 AVERAGE OUTPUT CURRENT (A) 平 均 出 力 電 流 㸦Ａ㸧 100 150 200 250 300 350 400 AVERAGE FORWARD POWER DISSIPATION (W) 平 均 順 電 力 損 失 㸦㹕㸧 PGH150N16 (Total) 0° 180° 通流角 CONDUCTION ANGLE 3PHASE PGH150N16(Diode Total)

Diode Per 1 Arm. Non－Biased Biased D.C. PGH150N16( Total)

Ｐ㹅Ｍ ＝ 5W ｆ Ӎ 50㹆ｚ duty ӌ 20％ －40℃ ＋25℃ ＋125℃

Transient Thermal Impedance 過 渡 熱 抵 抗 特 性 PGH150N16(Diode Per 1 Arm.) Time t (s) 時間 t (s) 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W) 過 渡 熱 抵 抗 㸦ﾟ（/W㸧 Transient Thermal Impedance 過 渡 熱 抵 抗 特 性 PGH150N16(Thyristor) Time t (s) 時間 t (s) 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Transient Thermal Impedance Rth(j-c) (°C/W) 過 渡 熱 抵 抗 㸦ﾟ（/W㸧