PCHMB75E6

PCHMB75E6_15 NI | Alldatasheet

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日本インター株式会社 ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ ７５ Ａ，６００Ｖ ＰＣＨＭＢ７５Ｅ６ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ ６ ０ ０ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ７５ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ １ ５ ０ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ３ ２ ０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２ , ５ ０ ０ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ２ 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 600V, ＶＧＥ= 0V － － 1.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V － ２.１ ２.６ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 3,200 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０ . １ ５ ０.３０ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０ . ２ ５ ０.４０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０ . １ ０ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 300V ＲＬ= 4.0Ω ＲＧ= 12.0Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.３５ ０.７０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ７５ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １ ５ ０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 75A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 150A/μs － ０.１５ ０.２５ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.３８ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case 5(E1) 4(G1) (C1) (E 2) (C2E 1) 3-M5 12 11 12 11 12 2-Ø 5.5 ±0. 2580 1 2 3 23 23 17 4-fasten tab #110 t= 0.516 16 167 7 30 +1.0 - 0. 5 23LABEL

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ７５Ｅ６ 012345 100 125 150 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 012345 100 125 150 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Collector Current I C (A) Fig.2- Output Characteristics (Typical) TC=125°C 11V 10V VGE=20V 12V 15V 0 4 8 1 21 62 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25°C IC=30A 150A 75A 048 1 2 1 6 2 0 Gate to Emitter Voltage VGE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.4- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=30A 150A TC=125°C 75A 0 50 100 150 200 250 300 100 150 200 250 300 350 400 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage VGE (V) Fig.5- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=300V 200V 100V RL=4.0( TC=25°C 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200 100 300 1000 3000 10000 30000 Collector to Emitter Voltage VCE (V) Capacitance C (pF) Fig.6- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25°C

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ７５Ｅ６ 0 50 100 150 0.2 0.4 0.6 0.8 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.7- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr(VCE) tON VCC=300V RG=12( VGE=±15V TC=25°C Resistive Load 10 30 100 300 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (() Switching Time t (µs) Fig.8- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=300V IC=75A VGE=±15V TC=25°C Resistive Load tf tr(VCE)ton toff 10 30 100 300 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (() Switching Time t (µs) Fig.10- Series Gate Impedance vs. Switching Time VCC=300V IC=75A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load tf tr(IC) ton toff 0 25 50 75 100 125 150 Collector Current IC (A) Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.11- Collector Current vs. Switching Loss EOFF EON VCC=300V RG=12( VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 10 30 100 300 0.3 100 Series Gate Impedance RG (() Switching Loss ESW (mJ/Pulse) Fig.12- Series Gate Impedance vs. Switching Loss EOFF EON VCC=300V IC=75A VGE=±15V TC=125°C Inductive Load ERR 0 25 50 75 100 125 150 0.001 0.01 0.1 Collector Current IC (A) Switching Time t (µs) Fig.9- Collector Current vs. Switching Time tOFF tf tr(Ic) tON VCC=300V RG=12( VGE=±15V TC=125°C Inductive Load

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ７５Ｅ６ 01234 100 125 150 Forward Voltage VF (V) Forward Current I F (A) Fig.13- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25°C TC=125°C 0 75 150 225 300 375 450 100 200 500 1000 -di/dt (A/µs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.14- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=75A TC=25°C TC=125°C 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 1 3x10-3 1x10-2 3x10-2 1x10-1 3x10-1 1x101 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (°C/W) Fig.16- Transient Thermal Impedance TC=25°C

1 Shot Pulse

0.1 0.2 0.5 100 200 500 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.15- Reverse Bias Safe Operating Area RG=12(, VGE=±15V, T C<125°C