PCHMB75B12

PCHMB75B12_15 NI | Alldatasheet

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日本インター株式会社 ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ ７ ５ Ａ，１２００Ｖ ＰＣＨＭＢ７５Ｂ１２ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ７ ５ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ １ ５ ０ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ４ ０ ０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ２.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 75A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 75mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 6,300 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 8Ω ＲG= 13Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ７ ５ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ １ ５ ０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 75A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 75A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 150A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.３ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.６ ℃／Ｗ 5(E1) 4(G1) (C1) (E 2) (C2E1) 3-M5 12 11 12 11 12 2-Ø 5.5 ±0. 2580 1 2 3 23 23 17 4-fasten tab #110 t= 0.516 16 167 7 30 +1. 0 - 0. 5 23LABEL

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ７５Ｂ１２ 02468 1 00 100 125 150 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 10V 12V 15V VGE=20V 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 75A IC=30A 150A 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=30A 75A 150A TC=125℃ 0 100 200 300 400 500 600 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=8Ω TC=25℃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 20020 100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Capacitance C (pF) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 02 5 5 0 7 5 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 1.6 Collector Current I C (A) Switching Time t (μs) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr tON VCC=600V RG=13Ω VGE=±15V TC=25℃

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ７５Ｂ１２ 012340 100 125 150 Forward Voltage V F (V) Forward Current I F (A) Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25℃ TC=125℃ 5 10 20 50 100 2000.02 0.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance R G (Ω) Switching Time t (μs) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) tf tr ton toff VCC=600V IC=75A VGE=±15V TC=25℃ 0 150 300 4501 100 200 500 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=75A TC=25℃ 11 0 2x10 5x10 2x10 5x10 2x10 5x10 Time t （s） Tansient Thermal Impedance Rth (J-C) (ﾟC/W) fig11-Tansient Thermal Impedance Tc=25℃

1 Shot Pulse

0 400 800 1200 16000.1 0.2 0.5 100 200 500 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area RG=13Ω VGE=±15V TC≦125℃