PCHMB400B12_15 NI | Alldatasheet

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日本インター株式会社 ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ ４００ Ａ，１２００Ｖ ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ D i m e n s i o n : ［ m m ］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ４ ０ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ８ ０ ０ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ １，９００ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ３（３０.６） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ８.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 400A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 400mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 25,000 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 1.5Ω ＲG= 1Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ４ ０ ０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ ８ ０ ０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 400A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 400A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 800A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.０６５ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.１２ ℃／Ｗ 5(E1) 4(G1) (C1) (E 2) (C2E1) 3-M 6 108 93 ±0. 25 14 14 141111 4-Ø 6.5 1311 321 ±0. 2548 242525 16 16 169 9 30+1.0 - 0.5 23 8 LABEL

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２ 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=1.5Ω TC=25℃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Capacitance C (pF) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 0 4 8 12 16 200 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 400A IC=200A 800A 0 4 8 12 16 200 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=200A 400A 800A TC=125℃ 02468 1 00 200 400 600 800 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 10V 12V 15V VGE=20V 0 100 200 300 4000 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 Collector Current I C (A) Switching Time t (μs) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr tON VCC=600V RG= 1.0 Ω VGE=±15V TC=25℃

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ４００Ｂ１２ 012340 100 200 300 400 500 600 700 800 Forward Voltage V F (V) Forward Current I F (A) Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25℃ TC=125℃ 0 400 800 1200 1600 2000 240010 100 200 300 500 1000 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IF=400A TC=25℃ IRrM trr 0.5 1 2 5 10 20 500.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance R G (Ω) Switching Time t (μs) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=600V IC=400A VGE=±15V TC=25℃ tf tr ton toff 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 1 2x10 -4 5x10 -4 1x10 -3 2x10 -3 5x10 -3 1x10 -2 2x10 -2 5x10 -2 1x10 -1 2x10 -1 5x10 -1 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (℃/W) Fig.11- Transient Thermal Impedance TC=25℃

1 Shot Pulse

0 400 800 1200 16000.1 0.2 0.5 100 200 500 1000 2000 5000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area RG=1Ω VGE=±15V TC≦125℃