PCHMB200B12_15 NI | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 3
Technical content
日本インター株式会社 ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ ２００ Ａ，１２００Ｖ ＰＣＨＭＢ２００Ｂ１２ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ ２ ０ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ４ ０ ０ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ９ ６ ０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ３（３０.６） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ４.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 200A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 200mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 16,600 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 3Ω ＲG= 2Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ ２ ０ ０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ ４ ０ ０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 200A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 200A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 400A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.１２５ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.２４ ℃／Ｗ 5(E1) 4(G1) (C1) (E 2) (C2E1) 2-Ø6.5 23.0 23.0 17.0 3-M 5 16.0 ±0.25 14.0 48.0 94.0 1 2 3 30 +1.0 - 0. 5 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 7.521.2 LABEL
日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ２００Ｂ１２ 02468 1 00 100 200 300 400 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 10V 12V 15V VGE=20V 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 200A IC=100A 400A 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=100A 200A 400A TC=125℃ 0 300 600 900 1200 1500 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=3Ω TC=25℃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 200100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 100000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Capacitance C (pF) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 0 50 100 150 2000 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 Collector Current I C (A) Switching Time t (μs) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr tON VCC=600V RG= 2.0 Ω VGE=±15V TC=25℃
日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ２００Ｂ１２ 012340 100 200 300 400 Forward Voltage V F (V) Forward Current I F (A) Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25℃ TC=125℃ 1 2 5 10 20 50 100 2000.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance R G (Ω) Switching Time t (μs) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=600V IC=200A VGE=±15V TC=25℃ tf tr ton toff 0 200 400 600 800 1000 12005 100 200 500 1000 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=200A TC=25℃ 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 1 5x10 -4 1x10 -3 2x10 -3 5x10 -3 1x10 -2 2x10 -2 5x10 -2 1x10 -1 2x10 -1 5x10 -1 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (℃/W) Fig.11- Transient Thermal Impedance TC=25℃
1 Shot Pulse
0 400 800 1200 16000.1 0.2 0.5 100 200 500 1000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area RG=2Ω VGE=±15V TC≦125℃