PCHMB150B12A

PCHMB150B12A_15 NI | Alldatasheet

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日本インター株式会社 ＩＧＢＴ Ｍｏｄｕｌｅ－Ｃｈｏｐｐｅｒ １５ ０ Ａ，１２００Ｖ ＰＣＨＭＢ１５０Ｂ１２Ａ □ 回 路 図 ： ＣＩＲＣＵＩＴ □ 外 形 寸 法 図 ： ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ Dimension:［mm］ □ 最 大 定 格 ： ＭＡＸＩＭＵＭ ＲＡＴＩＮＧＳ （ ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ コレクタ・エミッタ間電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｖoltage ＶＣＥＳ １，２００ Ｖ ゲ ー ト・エ ミ ッ タ 間 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｖoltage ＶＧＥＳ ± ２ ０ Ｖ ＤＣ ＩＣ １ ５ ０ コ レ ク タ 電 流 Ｃollector Ｃurrent １ｍｓ ＩＣＰ ３ ０ ０ Ａ コ レ ク タ 損 失 Ｃollector Ｐower Ｄissipation ＰＣ ７ ３ ０ Ｗ 接 合 温 度 Ｊunction Ｔemperature Ｒange Ｔｊ －４０～＋１５０ ℃ 保 存 温 度 Ｓtorage Ｔemperature Ｒange Ｔｓｔｇ －４０～＋１２５ ℃ 絶 縁 耐 圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１ｍinute) Ｉsolation Ｖoltage ＶＩＳＯ ２,５００ Ｖ （ＲＭＳ） Ｍodule Ｂase to Ｈeatsink ３（３０.６） 締 め 付 け ト ル ク Ｍounting Ｔorque Ｂusbar to Ｍain Ｔerminal Ｆｔｏｒ ２（２０.４） Ｎ・ｍ (kgf･cm) □ 電 気 的 特 性 ： ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ （ＴＣ＝２５℃） Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ コ レ ク タ 遮 断 電 流 Ｃollector-Ｅmitter Ｃut-Ｏff Ｃurrent ＩＣＥＳ Ｖ ＣＥ= 1200V,ＶＧＥ= 0V － － ３.０ ｍＡ ゲ ー ト 漏 れ 電 流 Ｇate-Ｅmitter Ｌeakage Ｃurrent ＩＧＥＳ Ｖ ＧＥ= ±20V,ＶＣＥ= 0V － － １.０ μＡ コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Ｃollector-Ｅmitter Ｓaturation Ｖoltage ＶＣＥ（ｓａｔ） ＩＣ= 150A,ＶＧＥ= 15V － １.９ ２.４ Ｖ ゲ ー ト し き い 値 電 圧 Ｇate-Ｅmitter Ｔhreshold Ｖoltage ＶＧＥ（ｔｈ） Ｖ ＣＥ= 5V,ＩＣ= 150mA ４.０ － ８.０ Ｖ 入 力 容 量 Ｉnput Ｃapacitance Ｃｉｅｓ Ｖ ＣＥ= 10V,ＶＧＥ= 0V,ｆ= 1MHＺ － 12,600 － ｐＦ 上 昇 時 間 Ｒise Ｔime ｔｒ － ０.２５ ０.４５ ターンオン時間 Ｔurn-on Ｔime ｔｏｎ － ０.４０ ０.７０ 下 降 時 間 Ｆall Ｔime ｔｆ － ０.２５ ０.３５ スイッチング時間 Ｓwitching Ｔime ターンオフ時間 Ｔurn-off Ｔime ｔｏｆｆ ＶＣＣ= 600V ＲL= 4Ω ＲG= 3.6Ω ＶＧＥ= ±15V － ０.８０ １.１０ μｓ □フリーホイーリングダイオードの 特 性： ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ（ＴＣ＝２５℃） Ｉｔｅｍ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｒａｔｅｄ Ｖａｌｕｅ Ｕｎｉｔ ＤＣ Ｉ Ｆ １ ５ ０ Ａ 順 電 流 Ｆorward Ｃurrent １ｍｓ ＩＦＭ ３ ０ ０ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ 順 電 圧 Ｐeak Ｆorward Ｖoltage ＶＦ Ｉ Ｆ= 150A,ＶＧＥ= 0V － １.９ ２.４ Ｖ 逆 回 復 時 間 Ｒeverse Ｒecovery Ｔime ｔｒｒ ＩＦ= 150A,ＶＧＥ= -10V ｄi/ｄt= 300A/μs － ０.２ ０.３ μｓ □ 熱 的 特 性 ： ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ Ｓ ｙｍｂｏｌ Ｔｅｓｔ Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎ Ｍｉｎ. Ｔ ｙｐ. Ｍａｘ. Ｕｎｉｔ ＩＧＢＴ － － ０.１６ 熱 抵 抗 Ｔhermal Ｉmpedance Ｄiode Ｒth(j-c) Junction to Case － － ０.３２ ℃／Ｗ 5(E1) 4(G1) (C1) (E 2) (C2E1) 2-Ø6.5 23.0 23.0 17.0 3-M 5 16.0 ±0.25 14.0 48.0 94.0 1 2 3 30 +1.0 - 0. 5 14 9 14 9 14 4-fasten tab #110 t=0.5 7.521.2 LABEL

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ１５０Ｂ１２Ａ 02468 1 00 100 150 200 250 300 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.1- Output Characteristics (Typical) TC=25℃ 10V 12V 15V VGE=20V 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.2- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) TC=25℃ 150A IC=75A 300A 048 1 2 1 6 2 00 Gate to Emitter Voltage V GE (V) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Fig.3- Collector to Emitter On Voltage vs. Gate to Emitter Voltage (Typical) IC=75A 150A 300A TC=125℃ 0 150 300 450 600 750 900 1050 1200 100 200 300 400 500 600 700 800 Total Gate Charge Qg (nC) Collector to Emitter Voltage V CE (V) Gate to Emitter Voltage V GE (V) Fig.4- Gate Charge vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) VCE=600V 400V 200V RL=4Ω TC=25℃ 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100 20050 100 200 500 1000 2000 5000 10000 20000 50000 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Capacitance C (pF) Fig.5- Capacitance vs. Collector to Emitter Voltage (Typical) Cies Coes Cres VGE=0V f=1MHZ TC=25℃ 0 25 50 75 100 125 1500 0.2 0.4 0.6 0.8 1.2 1.4 Collector Current I C (A) Switching Time t (μs) Fig.6- Collector Current vs. Switching Time (Typical) tOFF tf tr tON VCC=600V RG= 3.0 Ω VGE=±15V TC=25℃

日本インター株式会社 ＰＣＨＭＢ１５０Ｂ１２Ａ 1 2 5 10 20 50 100 2000.05 0.1 0.2 0.5 Series Gate Impedance RG (Ω) Switching Time t (μs) Fig.7- Series Gate Impedance vs. Switching Time (Typical) VCC=600V IC=150A VGE=±15V TC=25℃ tf tr ton toff 012340 100 150 200 250 300 Forward Voltage VF (V) Forward Current I F (A) Fig.8- Forward Characteristics of Free Wheeling Diode (Typical) TC=25℃ TC=125℃ 0 150 300 450 600 750 9002 100 200 500 -di/dt (A/μs) Peak Reverse Recovery Current I RrM (A) Reverse Recovery Time trr (ns) Fig.9- Reverse Recovery Characteristics (Typical) IRrM trr IF=150A TC=25℃ 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 11 0 1 1x10 -3 2x10 -3 5x10 -3 1x10 -2 2x10 -2 5x10 -2 1x10 -1 2x10 -1 5x10 -1 Time t (s) Transient Thermal Impedance Rth (J-C) (℃/W) Fig.11- Transient Thermal Impedance TC=25℃

1 Shot Pulse

0 400 800 1200 16000.1 0.2 0.5 100 200 500 Collector to Emitter Voltage V CE (V) Collector Current I C (A) Fig.10- Reverse Bias Safe Operating Area RG=3.0Ω VGE=±15V TC≦125℃