PDT400N16 NDK | Alldatasheet
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Technical content
■回路図 CIRCUIT ■外形寸法図 O U T L I N E D R A W I N G Dimension:［mm］ ■最大定格 Ｍaximum Ratings 耐圧クラス G r a d e 項 目 Parameter 記号 Symbol PDT／PDH／PCH／PAT／PAH400N16 単位 Unit くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage VDRM 1600 V 非くり返しピークオフ電圧 Non Repetitive Peak Off-State Voltage V DSM 1700 V くり返しピーク逆電圧 Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 1600 V 非くり返しピーク逆電圧 Non Repetitive Peak Reverse Voltage VRSM 1700 V 項 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 定格値 Max.Rated Value 単位 Unit 平均オン電流 Average On-State Current Io (AV) 商用周波数180°通電 Tc =80℃ Half Sine Wave 400 A 実効オン電流 RMS On-State Current IT(RMS) 630 A サージオン電流 Surge On-State Current ITSM 50Hz正弦半波，1ｻｲｸﾙ，非くり返し Half Sine Wave, 1Pulse, Non-Repetitive 7200 A 電流二乗時間積 I Squared t I2t 2～10ms 259000 A2ｓ 臨界オン電流上昇率 Critical Rate of Rise of Turned-On Current di/dt V D = 2/3 VDRM, ITM = 2・Io, Tj =125℃ IG = 300mA, diG/dt = 0.2A/μs 100 A/μs ピークゲート電力損失 Peak Gate Power P GM 5 W 平均ゲート電力損失 Average Gate Power P G(AV) 1 W ピークゲート電流 Peak Gate Current I GM 2 A ピークゲート電圧 Peak Gate Voltage V GM 10 V ピークゲート逆電圧 Peak Gate Reverse Voltage V RGM 5 V 動作接合温度範囲 Operating Junction Temperature Range Tjw -40 ～ +125 ℃ 保存温度範囲 Storage Temperature Range Tstg -40 ～ +125 ℃ 絶縁耐圧 Isolation Voltage Viso 端子－ベース間，AC 1分間 Terminal to Base, AC 1min. 2500 V ベース部 Mounting ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Greased M6 2.5 ～ 3.5 N・m 締付トルク Mounting Torque 主端子部 Terminal Ｆ M8 9.0 ～ 10.0 N・m ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ 400Ａ Ａvg 1600 Ｖolts PDT400N16 PDH400N16 PCH400N16 PAT400N16 PAH400N16
■電気的特性 Electrical Characteristics 特性値（最大） Maximum Value 項 目 Parameter 記 号 Symbol 条 件 Conditions 最小 Min 標準 Typ 最大 Max 単位 Unit ピークオフ電流 Peak Off-State Current IDM Tj = 125℃, VDM = VDRM 100 mA ピーク逆電流 Peak Reverse Current IRM Tj = 125℃, VRM = VRRM 100 mA ピークオン電圧 Peak Off-State Voltage VTM Tj = 25℃, ITM = 1300A 1.55 V Tj =－40℃ 300 Tj = 25℃ 150 トリガゲート電流 Gate Current to Trigger IGT V D = 6 V, IT = 1A Tj = 125℃ 80 mA Tj =－40℃ 5 Tj = 25℃ 3 トリガゲート電圧 Gate Voltage to Trigger V GT V D = 6 V, IT = 1A Tj = 125℃ 2 V 非トリガゲート電圧 Gate Non-Trigger Voltage V GD Tj =125℃, VD = 2/3 VDRM 0.25 V 臨界オフ電圧上昇率 Critical Rate of Rise of Off-State Voltage dv/dt Tj =125℃, V D = 2/3 VDRM 500 V/μs ターンオフ時間 Turn-Off Time t q Tj =125℃, ITM = Io, VD = 2/3 VDRM dv/dt = 20V/μs, VR = 100V, ‐di/dt = 20A/μs μs ターンオン時間 Turn-On Time t gt 6 μs 遅れ時間 Delay Time t d 2 μs 立ち上がり時間 Rise Time t r Tj =25℃, VD = 2/3 VDRM IG = 300mA, diG/dt = 0.2A/μs 4 μs ラッチング電流 Latching Current I L Tj =25℃ 150 mA 保持電流 Holding Current I H Tj =25℃ 60 mA 熱抵抗 Thermal Resistance Rth(j-c) 接合部－ケース間 Junction to Case 0.07 ℃/W 接触熱抵抗 Thermal Resistance Rth(c-f) ｹｰｽ-ﾌｨﾝ間，ｻｰﾏﾙｺﾝﾊﾟｳﾝﾄﾞ塗布 Case to Fin, Greased 0.05 ℃/W 質 量 －－－ 約960 g １アーム当りの値 Value Per 1 Arm. Approximate Weight
■定格・特性曲線
125℃ 25℃ －40℃ ＰＧ Ｍ ＝ 5W ｆ ≧ 50Ｈ ｚ duty ≦ 20％