1N1199A DIOTEC | Alldatasheet
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1) Valid, if the temp. of the stud is kept to 100 /g47C Gültig, wenn die Temp. am Gewinde auf 100/g47C gehalten wird 126.03.2002 1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Silicon-Power Rectifiers Silizium-Leistungs-Gleichrichter Nominal current Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage 50...1000 V Periodische Spitzensperrspannung Metal case Metallgehäuse DO-4 Weight approx. Gewicht ca. 5.5 g Recommended mounting torque 18 ± 10% lb.in. Empfohlenes Anzugsdrehmoment 2 ± 10% Nm Standard: Cathode to stud / am Gewinde Dimensions / Maße in mm Index R: Anode to stud / am Gewinde (e.g. 1N 1199 A/R) Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 1N 1199 A = PBY 271 50 60 1N 1200 A = PBY 272 100 120 1N 1202 A = PBY 273 200 240 1N 1204 A = PBY 274 400 480 1N 1206 A = PBY 275 600 720 1N 3671 = PBY 276 800 1000 1N 3673 = PBY 277 1000 1200 Max. average forward rectified current, R-load T C = 100/g47CI FAV 12 A 1) Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current f > 15 Hz I FRM 40 A 1) Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave T A = 25/g47CI FSM 220 A Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave T A = 25/g47CI FSM 240 A Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing Grenzlastintegral, t < 10 ms T A = 25/g47Ci 2t 240 A 2s
2 F:\\Data\\Wp\\DatBlatt\\Einzelblätter\\1n1199-pby271...wpd 1N 1199A ... 1N 1206A, 1N 3671, 1N 3673 PBY 271 ... PBY 277 Operating junction temperature Sperrschichttemperatur T j 65 +175/g47C Storage temperature Lagerungstemperatur T S 65 +175/g47C Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlaßspannung T j = 25/g47CI F = 30 A V F < 1.5 V Leakage current Sperrstrom T j = 25/g47CV R = VRRM IR < 100 /g58A Thermal resistance junction to stud R thC < 2 K/W Wärmewiderstand Sperrschicht Gehäuse