P4B40HP2 SHINDENGEN | Alldatasheet
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". www.shindengen.co.jp/product/semi/（MOS-p〈2014.03〉） P4B40HP2 400V4A PowerMOSFET 単位 Unit 規格値 Ratings 条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item ℃－55～150Tstg保存温度 StorageTemperature 150Tchチャネル温度 ChannelTemperature V400VDSS ドレイン・ソース間電圧 Drain-SourceVoltage ±30VGSS ゲート・ソース間電圧 GateSourceVoltage A 4ID ドレイン電流（直流） ContinuousDrainCurrent(DC) 16パルス幅 10μs,duty=1/100 Pulsewidth10µs,duty=1/100IDP ドレイン電流（ピーク） ContinuousDrainCurrent(Peak) 4IS ソース電流（ピーク） ContinuousSourceCurrent（DC） W35PT 全損失 TotalPowerDissipation A4StartingTch=25℃,Tch≦150℃IAR 繰り返しアバランシェ電流 RepetitiveAvalancheCurrent mJ35StartingTch=25℃,Tch≦150℃EAS 単発アバランシェエネルギー SingleAvalancheEnergy mJ3.5StartingTch=25℃,Tch≦150℃EAR 繰り返しアバランシェエネルギー RepetitiveAvalancheEnergy A/μs350Is＝6A,Tc＝25℃di/dtドレイン・ソースダイオード di/dt耐量 Drain-SourceDiodedi/dtStrength ■定格表 RATINGS
- 絶対最大定格 AbsoluteMaximumRatings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
- 電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified） 単位 Unit 規格値 Ratings条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item MAXTYPMIN ドレイン・ソース間降伏電圧 Drain-SourceBreakdownVoltage μA100──VDS＝400V,VGS＝0VIDSS ドレイン遮断電流 ZeroGateVoltageDrainCurrent ゲート漏れ電流 Gate-SourceLeakageCurrent S─3.01.5ID＝2A,VDS＝10Vgfs順伝達コンダクタンス ForwardTransconductance Ω1.901.54─ID＝2A,VGS＝10VR（D S）ON ドレイン・ソース間オン抵抗 StaticDrain-SourceOn-stateResistance V4.503.753.00ID＝1mA,VDS＝10VVTH ゲートしきい値電圧 GateThresholdVoltage 1.5──IS＝2A,VGS＝0VVSD ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Source-DrainDiodeForwardVoltage ℃/W3.55──接合部・ケース間 Junctiontocaseθjc熱抵抗 ThermalResistance nC─6.5─VDD＝320V,VGS＝10V,ID＝4AQgゲート全電荷量 TotalGateCharge pF ─245─ VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz Ciss入力容量 InputCapacitance ─4.3─Crss帰還容量 ReverseTransferCapacitance ─33─Coss出力容量 OutputCapacitance ns ─18─ ID＝2A,RL＝75Ω,VDD＝150V,Rg＝50Ω, td（on）ターンオン遅延時間 Turn-ondelaytime ─21─tr上昇時間 Risetime ─53─td（off）ターンオフ遅延時間 Turn-offdelaytime ─26─tf降下時間 Falltime Unit：mm ■外観図 OUTLINE Package：FB ᶃ ᶄ ᶅ ᶆ ᶆ P4B40H 2 000000 5ZQF /P PU $POUSPM /P ʢྫʣ ᶅᶄᶃ Nch 特長 煙面実装タイプ 煙低ノイズ 煙低容量 煙高アバランシェ耐量、高di/dt耐量 Feature 煙SMD 煙LowNoise 煙LowCapacitance 煙HighAvalancheDurability,Highdi/dtDurability
www.shindengen.co.jp/product/semi/ （MOS-p〈2014.03〉） ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ग़ྗಛੑ TypicalOu tputCh aracteristics 1VMTF NFBTVSFNFOU %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJOɾ4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ7ʥ ̎ ̑ ˆ 5:1 77(4 (4 ̑̑777(4 77(4 (4 ̑̑777(4 77$$ ̍ ̌ ̍̌777(4 ̍ ̌ 7 ̔̔77̔7 ୡಛੑ TransferCh aracteristics 1VMTF NFBTVSFNFOU %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ (BUFɾ4PVSDF 7PMUBHF 7(4ʤ7ʥ 7%4 ̎ ̑ 7 5:1 ̩ ̲ ̍ ̑ ̌ ˆ ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ˆ ̩ ̲ ̎ ̑ ˆ ̩ ̲ ̍ ̌ ̌ ˆ ʵυϨΠϯిྲྀ Static Drain-Source On-state Resistance vs Drain Current ̍ ̌ ̌ɽ ̎ 7(4 ʹ7 5Dʹ ̎ ̑ˆ 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4 ʢ0/ ʣʤЊʥ %SBJO $VSSFOU *%ʤ"ʥ ʵέʔεԹ Static Drain-Source On-static Resistance vs Case Tempe rature ̍ ̌ 7(4 ʹ7 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUJD 3FTJTUBODF 3 %4 ʢ0/ ʣʤЊʥ $BTF̩FNQFSBUVSF 5Dʤˆʥ Gate Threshold Voltage vs Case 5emperature 7%4 ʹ̍ ̌ 7 ̍N" 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU (BUF 5ISFTIPME 7PMUBHF ̫5) ʤ ̫ʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5Dʤˆʥ TransientThermalImpedance ̌̌ ̍ ̍ ̌ 5SBOTJFOU 5IFSNBM *NQFEBODF ВKD ʤˆ8ʥ 5JNF UʤTʥ Ωϟύγλϯεಛੑ Capacitance Characteristics ̍ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̌ 5Dʹ̎ ̑ ˆ Gʹ ̍.)[ 5:1 $BQBDJUBODF ̘JTT $PTT $STTʤQ' ʥ %SBJOɾ4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ̫ʥ Safe Operating Area ̑ ̌ ̍ ̎ ̍ ̒ ̌ɽ ̌̍ ̌ɽ ̍ 5D ʹ̎ ̑ ˆ 4JOHMF QVMTF %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJOɾ4PVSDF 7PMUBHF 7%4ʤ7ʥ 1PXFS %JTTJQBUJPO -JNJUFE NT NT ЖT ЖT 3%4 ʢ 0/ ʣ-JNJUFE ʢBU 7 (4 ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ গʵέʔεԹ Power Derating - Case Temp erature 1PXFS %FSBUJOH ʤʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5Dʤˆʥ 77̜̜447̜4 77%4 %47%4 ̎ ̌ ̍ ̑ ̍ ̌ ήʔ τνϟʔδಛੑ ̏ ̌ ̌ ̐ ̌ ̌ ̎ ̌ ̌ ̏ ̑ ̌ ̎ ̑ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̑ ̌ ̑ ̌ Gate Charge Characteristics 5:1 (BUF ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ 5PUBM (BUF $IBSHF 2HʤO$ʥ 7%% ̏ ̎ ̌ ̫ ̍ ̒ ̌ ̫ ̔ ̌ ̫ গ ʵνϟωϧԹ Single Avalanche Energy Derating vs Ch annelTem perature ̍ ̌ ̌ ̔ ̌ ̒ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ 4UBSUJOH $IBOOFM 5FNQFSBUVSF 5DIʤˆʥ 4JOHMF "WBMBODIF &OFSHZ %FSBUJOH ʤʥ 7%% ̍ ̌ ̌ 7 7(4 ̍ ̑ 7 ̍ ̌ ̌ Њ ୯ൃ ΞόϥϯγΣి ྲྀʵΠϯμΫλϯε Single Avalanche Currentvs Inductive Load ̍ ̌ *OEVDUBODF -ʤN)ʥ 4JOHMF "WBMBODIF $VSSFOU * "4 ʤ"ʥ &"4 ̏ ̑ N+ &"3 ̏̑N+ *"4 P4B40HP2 ＊Sinewaveは50Hzで測定しています。 ＊ 50Hzsinewaveisusedformeasurements.
͝ҙ ͞ΕΔಛ ͷ ʲඪ४༻్ʳ ɺՈిɺ ʲಛผ༻్ʳ ɺҩྍ ʲಛఆ༻్ʳ ͷͨΊͷஔɺγεςϜ ࢭ Ͱ͖ΔΑ͏͝ ౼Լ͍͞ɻ ೝԼ͍͞ɻ ͍·ͤΜɻ ͏ͷ Ͱ͋Γ·ͤΜɻ ɺ༌ग़ʹಉ Մ͕ඞཁͰ͢ɻ
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ʲ4UBOEBSEBQQMJDBUJPOTʳ $PNQVUFST PGGJDF BVUPNBUJPO BOE PUIFS PGGJDF FRVJQNFOU DPNNVOJDBUJPO UFSNJOBMT UFTU BOE NFBTVSFNFOU FRVJQNFOU BVEJPWJTVBM FRVJQNFOU BNVTFNFOU FRVJQNFOU DPOTVNFS FMFDUSPOJDT NBDIJOFUPPMT QFSTPOBMFMFDUSPOJDFRVJQNFOU JOEVTUSJBMFRVJQNFOU FUD ʲ4QFDJBMBQQMJDBUJPOTʳ 5SBOTQPSUBUJPOFRVJQNFOU WFIJDMFT TIJQT FUD USVOLMJOFDP NNVOJDBUJPOFRVJQNFOU USBGGJDTJHOBM DPOUSPMTZTUFNT BOUJEJTBTUFSDSJNFTZTUFNT TBGFUZFRVJQNFOU NFEJDBMFRVJQNFOU FUD ʲ4QFDJGJDBQQMJDBUJPOTʳ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