P20F50HP2 SHINDENGEN | Alldatasheet
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外形図については新電元 Webサイトをご参照下さい。捺印表示については 捺印仕様をご確認下さい。 Fordetailsoftheoutlinedimensions,refertoourwebsite.Asforthe marking,refertothespecification"Marking,TerminalConnection". www.shindengen.co.jp/product/semi/（MOSFET〈2012.06〉） 単位 Unit 規格値 Ratings 条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item ℃－55～150Tstg保存温度 StorageTemperature 150Tchチャネル温度 ChannelTemperature V500VDSS ドレイン・ソース間電圧 Drain-SourceVoltage ±30VGSS ゲート・ソース間電圧 GateSourceVoltage A 20ID ドレイン電流（直流） ContinuousDrainCurrent(DC) 80パルス幅 10μs,duty=1/100 Pulsewidth10µs,duty=1/100IDP ドレイン電流（ピーク） ContinuousDrainCurrent(Peak) 20IS ソース電流（直流） ContinuousSourceCurrent(DC) W95PT 全損失 TotalPowerDissipation A20StartingTch=25℃,Tch≦150℃IAR 繰り返しアバランシェ電流 RepetitiveAvalancheCurrent mJ90StartingTch=25℃,Tch≦150℃EAS 単発アバランシェエネルギー SingleAvalancheEnergy 9StartingTch=25℃,Tch≦150℃EAR 繰り返しアバランシェエネルギー RepetitiveAvalancheEnergy A/μs350Is＝20A,Tc＝25℃di/dtドレイン・ソースダイオード耐量 Drain-SourceDiodedi/dt kV2一括端子・ケース間，AC1分間印加 Terminalstocase,AC1minuteVdis絶縁耐圧 DielectricStrength (Recommendedtorque:0.3N・m)TOR締め付けトルク MountingTorque P20F50HP2 500V20A ■定格表 RATINGS
- 絶対最大定格 AbsoluteMaximumRatings（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified）
- 電気的・熱的特性 ElectricalCharacteristics（指定のない場合 Tc＝25℃/unlessotherwisespecified） Unit：mm ■外観図 OUTLINE 単位 Unit 規格値 Ratings条 件 Conditions 記号 Symbol 項 目 Item MAXTYPMIN ドレイン・ソース間降伏電圧 Drain-SourceBreakdownVoltage μA100──VDS＝500V,VGS＝0VIDSS ドレイン遮断電流 ZeroGateVoltageDrainCurrent ゲート漏れ電流 Gate-SourceLeakageCurrent S─20.510ID＝10A,VDS＝10Vgfs順伝達コンダクタンス ForwardTransconductance Ω0.360.29─ID＝10A,VGS＝10VR（D S）ON ドレイン・ソース間オン抵抗 StaticDrain-SourceOn-stateResistance V4.53.753.0ID＝1mA,VDS＝10VVTH ゲートしきい値電圧 GateThresholdVoltage 1.5──IS＝10A,VGS＝0VVSD ソース・ドレイン間ダイオード順電圧 Source-DrainDiodeForwardVoltage ℃/W1.32──接合部・ケース間 Junctiontocaseθjc熱抵抗 ThermalResistance nC─40─VDD＝400V,VGS＝10V,ID＝20AQgゲート全電荷量 TotalGateCharge pF ─1735─ VDS＝50V,VGS＝0V,f＝1MHz Ciss入力容量 InputCapacitance ─10─Crss帰還容量 ReverseTransferCapacitance ─176─Coss出力容量 OutputCapacitance ns ─35─ ID＝10A,RL＝15Ω,VDD＝150V,Rg=50Ω, td（on）ターンオン遅延時間 Turn-ondelaytime ─63─tr上昇時間 Risetime ─140─td（off）ターンオフ遅延時間 Turn-offdelaytime ─50─tf降下時間 Falltime PowerMOSFET Package：FTO-220AG（3pin） 20F50H2 5ZQF /P BUF DPEF ʢྫʣ $POUSPM /P ʢྫʣ 0000 ᶅᶃ ᶄ ᶃ ᶄ ᶅ 特長 煙高耐圧 煙低オン抵抗 煙高速スイッチング 煙高アバランシェ耐量、高di/dt耐量 Feature 煙HighVoltage 煙LowRON 煙FastSwitching 煙HighAvalanchedurability,Highdi/dtdurability Page:58
www.shindengen.co.jp/product/semi/ （MOSFET〈2012.06〉） ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ̏ ̎ ̐ ̌ ̎ ̐ ̍ ̒ 1VMTF NFBTVSFNFOU %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ ̎ ̑ ˆ 5:1 77(4 (4 ̑̑77 77(4 (4 ̒̒777(4 7(4 ग़ྗಛੑ TypicalO utputCh aracteristics ୡಛੑ TransferCh aracteristics 1VMTF NFBTVSFNFOU %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ (BUF ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ 7%4 ̎ ̌ 7 5:1 ̎ ̑ ̐ ̌ ̏ ̑ ̏ ̌ ̍ ̑ ̎ ̌ ̍ ̌ 1VMTF NFBTVSFNFOU 7%4 ̎ ̌ 7 5:1 ̍ ̌ ̌ ˆ ̍ ̑ ̌ ˆ ᴷυϨΠϯిྲྀ Static Drain-Source On -stateRe sistance vs Drain Cu rrent ̌ɽ ̌ ̑ ̌ɽ ̍ 7(4 ʹ7 5Dʹ ̎ ̑ˆ 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4 ʢ0/ ʣʤЊʥ %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ Ga teThresholdVoltage vs Case 5em perature 7%4 ʹ̍ ̌ 7 ̍N" 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU (BUF 5ISFTIPME 7PMUBHF ̫5) ʤ ̫ʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ ᴷέʔεԹ Static Drain-SourceO n-stateResistance vs C ase Tempe rature ̍ ̌ ̌ɽ ̌ ̍ ̌ɽ ̍ 7(4 ʹ7 QVMTF UFTU 5:1 1VMTF NFBTVSFNFOU 4UBUJD %SBJO4PVSDF 0OTUBUF 3FTJTUBODF 3 %4ʢ0/ ʣʤЊʥ $BTF̩FNQFSBUVSF 5D ʤˆʥ **%% ̍ ̌ " SafeOpe rating Area ̍ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̎̌̌ ̍̌̌ ̌ɽ ̌ ̍ ̌ɽ ̍ ̎ ̌ 5D ʹ̎ ̑ ˆ 4JOHMF QVMTF %$ %$%$ NT NTNT NT NTNT ЖT ЖTЖT ЖT ЖTЖT %SBJO $VSSFOU * %ʤ"ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ TransientTherm alImpedance ̍ ̌ ̌̌ ̌ ̍ ̌̌ ̍ 5JNF U ʤTʥ 5SBOTJFOU 5IFSNBM *NQFEBODF ВKD ʤˆ8ʥ ̍ ̌ ̌ ̒ ̌ ̔ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ গᴷέʔεԹ Power De rating -Ca se Temp erature 1PXFS %FSBUJOH ʤʥ $BTF 5FNQFSBUVSF 5Dʤˆʥ 77̜̜447̜4 77%4 %47%4 ̍ ̒ ̎ ̌ ̍ ̎ ήʔ τνϟʔδಛੑ ̑ ̌ ̌ ̏ ̌ ̌ ̐ ̌ ̌ ̎ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ G ateCharge Cha racteristics ̎ ̌ " 5:1 (BUF ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 (4ʤ7ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ7ʥ 5PUBM (BUF $IBSHF 2H ʤO$ʥ 77%% %% 7%% ̐ ̌ ̌ ̫ ̎ ̌ ̌ ̫ ̍ ̌ ̌ ̫ 7%% 7(4 Њ ୯ൃΞόϥϯγΣిྲྀΠϯμΫλϯε Single Avalanche C urrentvs Inductive Load ̍ ̌ ̎ ̌ ̍ ̌ ̌ *OEVDUBODF - ʤN)ʥ 4JOHMF "WBMBODIF $VSSFOU * "4 ʤ"ʥ **"4 "4 &&"4 "4 ̕ ̌ ̌̕N+ N+ *"4 ̎ ̌ " &"3 ̕N+ &"4 ̕ ̌ N+ গ νϟωϧԹ Single Avalanche Energy Derating vs C hannelTemp erature ̍ ̌ ̌ ̔ ̌ ̒ ̌ ̐ ̌ ̎ ̌ 4UBSUJOH $IBOOFM 5FNQFSBUVSF 5DI ʤˆʥ 4JOHMF "WBMBODIF &OFSHZ %FSBUJOH ʤʥ ̩ ̲ ʵ ̑ ̑ ˆ ̎ ̑ ˆ 3%4 ʢ0/ʣ -JNJUFE ʢBU 7(4 1PXFS %JTTJQBUJPO -JNJUFE Ωϟύγλϯεಛੑ Ca pacitance Cha racteristic s ̍ ̌ ̌ ̌ ̍ ̌ ̌ ̍ ̌ 5Dʹ ̎ ̑ ˆ Gʹ ̍.)[ 5:1 $BQBDJUBODF ̘JTT $PTT $STTʤQ' ʥ %SBJO ɾ4PVSDF 7PMUBHF 7 %4ʤ̫ʥ 77(4 (4 ̍ ̌ ̍̌777(4 ̍ ̌ 7 ̔̔77̔7 P20F50HP2 ＊Sinewaveは50Hzで測定しています。 ＊ 50Hzsinewaveisusedformeasurements. Page:59
͝ҙ ͞ΕΔಛ ͷ ʲඪ४༻్ʳ ɺՈిɺ ʲಛผ༻్ʳ ɺҩྍ ʲಛఆ༻్ʳ ͷͨΊͷஔɺγεςϜ ࢭ Ͱ͖ΔΑ͏͝ ౼Լ͍͞ɻ ೝԼ͍͞ɻ ͍·ͤΜɻ ͏ͷ Ͱ͋Γ·ͤΜɻ ɺ༌ग़ʹಉ Մ͕ඞཁͰ͢ɻ
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ʲ4UBOEBSEBQQMJDBUJPOTʳ $PNQVUFST PGGJDF BVUPNBUJPO BOE PUIFS PGGJDF FRVJQNFOU DPNNVOJDBUJPO UFSNJOBMT UFTU BOE NFBTVSFNFOU FRVJQNFOU BVEJPWJTVBM FRVJQNFOU BNVTFNFOU FRVJQNFOU DPOTVNFS FMFDUSPOJDT NBDIJOFUPPMT QFSTPOBMFMFDUSPOJDFRVJQNFOU JOEVTUSJBMFRVJQNFOU FUD ʲ4QFDJBMBQQMJDBUJPOTʳ 5SBOTQPSUBUJPOFRVJQNFOU WFIJDMFT TIJQT FUD USVOLMJOFDP NNVOJDBUJPOFRVJQNFOU USBGGJDTJHOBM DPOUSPMTZTUFNT BOUJEJTBTUFSDSJNFTZTUFNT TBGFUZFRVJQNFOU NFEJDBMFRVJQNFOU FUD ʲ4QFDJGJDBQQMJDBUJPOTʳ /VDMFBSSFBDUPSDPOUSPMTZTUFNT BJSDSBGU BFSPTQBDFFRVJQNFOU TVCNBSJOFSFQFBUFST MJGFTVQQPSU FRVJQNFOUBOETZTUFNT FUD "MUIPVHI4IJOEFOHFODPOUJOVPVTMZFOEFBWPSTUPFOIBODFUIFRVBMJUZBOESFMJBCJMJUZPGJUTQSPEVDUT DVTUPNFST BSFBEWJTFEUPDPOTJEFSBOEUBLFTBGFUZNFBTVSFTJOUIFJSEFTJH O TVDIBTSFEVOEBODZ GJSFDPOUBJONFOUBOE BOUJGBJMVSF TPUIBUQFSTPOBMJOKVSZ GJSFT PSTPDJFUBMEBNBHFTDBOCFQSFWFOUFE 1MFBTFOPUFUIBUBMMJOGPSNBUJPO EFTDSJCFEPSDPOUBJOFEIFSFJO JTTVCKFDUUPDIBOHFXJUIPVUOPUJDFEVFUP QSPEVDUVQHSBEFTBOEPUIFSSFBTPOT8IFOCVZJOH4IJOEFOHFOQSPE VDUT QMFBTFDPOUBDUUIF$PNQBOZ\T PGGJDFTPSEJTUSJCVUPSTUPPCUBJOUIFMBUFTUJOGPSNBUJPO 4IJOEFOHFOTIBMMOPUCFBSBOZSFTQPOTJCJMJUZXJUISFHBSETUPEBNBHFTPSJOGSJOHFNFOUPGBOZUIJSEQBSUZQBUFOU SJHIUTBOEPUIFSJOUFMMFDUVBMQSPQFSUZSJHIUTJODVSSFEEVFUPUIFVTFPGJOGPSNBUJPOPOUIJTXFCTJUF 5IFJOGPSNBUJPOBOENBUFSJBMTPO UIJTXFCTJUFOFJUIFSXBSSBOUUIFVTFPG4IJOEFOHFOTPSBOZUIJSEQBSUZ\T QBUFOUSJHIUTBOEPUIFSJOUFMMFDUVBMQSPQFSUZSJHIUT OPSHSBOUMJDFOTFUPTVDISJHIUT *OUIFFWFOUUIBUBOZQSPEVDUEFTDSJCFEPSDPOUBJOFEIFSFJOGBM MTVOEFSUIFDBUFHPSZPGTUSBUFHJDQSPEVDUT DPOUSPMMFEVOEFSUIF'PSFJHO&YDIBOHFBOE'PSFJHO5SBEF$POUSPM-BXPG+BQBO FYQPSUJOHPGTVDIQSPEVDUT TIBMMSFRVJSFBOFYQPSUMJDFOTFGSPNUIF+BQBOFTFHPWFSONFOUJOBDDPSEBODFXJUIUIFBCPWFMBX /PSFQSJOUJOHPSSFQSPEVDUJPOPGUIFNBUFSJBMTPOUIJTXFCTJUF FJUIFSJOXIPMFPSJOQBSU JTQFSNJUUFEXJUIPVU QSPQFSBVUIPSJ[BUJPOGSPN4IJOEFOHFO