P1200A DIOTEC | Alldatasheet
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P1200A ... P1200G P1200A ... P1200G Silicon-Rectifiers Silizium-Gleichrichter Version 2006-01-25 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...400 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] P1200A 50 50 P1200B 100 100 P1200D 200 200 P1200G 400 400 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T A = 50°C I FAV 12 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 80 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t 800 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur at reduced reverse voltage bei reduzierter Sperrspannung V R ≤ 80% VRRM VR ≤ 20% VRRM Tj Tj -50...+150°C -50...+200°C Storage temperature – Lagerungstemperatur T S -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5
P1200A ... P1200G Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 5 A V F < 0.84 V Leakage current – Sperrstrom T j = 25°C V R = VRRM IR < 25 µA Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 10 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] I FAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 Vr < 80% Vrrm Vr < 20% Vrrm Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 2 5° Cj T = 125°Cj 400a-(5a-0,8v)