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Technical content
Features
Package smaller than industry standard VRRM up to 1200 V High forward surge current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheit Gehäuse kleiner als Industrie- standard VRRM bis zu 1200 V Hohe Stoßstromfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 500 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 1.7 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] P1000A 50 50 P1000B 100 100 P1000D 200 200 P1000G 400 400 P1000J 600 600 P1000K 800 800 P1000M 1000 1000 P1000S 1200 1200 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 10 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 80 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 400/450 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 800 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
1 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Pb ELV W EEE RoHS Type Ø 1.2 ±0.05 Ø 8 ±0.17.5±0.1 62.5 ±0.5
P1000A ... P1000S Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C Tj = 25°C IF = 5 A IF = 10 A VF VF < 0.9 V < 1.05 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität VR = 4 V Cj 70 pF Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 14 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 2.8 K/W Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder oder Internet Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 120 100 [%] IFAV Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) [°C]TA 150100500 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) [A] IF T = 25°Cj T = 125°Cj 400a-(5a-0.9v) Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlass-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz [A] îF 1 10 10 [n] 102 3