2N5194 ONSEMI | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 8

Technical content

Silicon PNP Power Transistors . . . for use in power amplifier and switching circuits, — excellent safe area limits. Complement to NPN 2N5191, 2N5192 ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ *MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 2N5194 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 2N5195 ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCEO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCB ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter–Base Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VEB ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 5.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ IC ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 4.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ IB ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎ ÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Power Dissipation @ TC = 25C Derate above 25C ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ PD ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ 320 ÎÎÎ ÎÎÎ Watts mW/ C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ TJ, Tstg ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ –65 to +150 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance, Junction to Case ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ θJC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 3.12 ÎÎÎ ÎÎÎ C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ *ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Min ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ OFF CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) (IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N5194 2N5195 ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ VCEO(sus) ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, IB = 0) 2N5194 (VCE = 80 Vdc, IB = 0) 2N5195 ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ ICEO ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5194 (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc) 2N5195 (VCE = 60 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5194 (VCE = 80 Vdc, VBE(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C) 2N5195 ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ ICEX ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 0.1 0.1 2.0 2.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCB = 60 Vdc, IE = 0) 2N5194 (VCB = 80 Vdc, IE = 0) 2N5195 ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ ICBO ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 0.1 0.1 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ mAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0) ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ IEBO ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ mAdc *Indicates JEDEC Registered Data. (1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%. Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value. ON Semiconductor  Semiconductor Components Industries, LLC, 2002 April, 2002 – Rev. 10

1 Publication Order Number:

*ON Semiconductor Preferred Device

4 AMPERE

60–80 VOLTS CASE 77–09 TO–225AA TYPE 3 2 1 STYLE 1: PIN 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE

http://onsemi.com DESIGN NOTE: USE OF TRANSIENT THERMAL RESISTANCE DATA tP PP PP 1/f DUTY CYCLE, D = t1 f = tP PEAK PULSE POWER = PP Figure 13. A train of periodical power pulses can be represented by the model shown in Figure 13. Using the model and the device thermal response, the normalized effective transient thermal resistance of Figure 12 was calculated for various duty cycles. To find θJC(t), multiply the value obtained from Figure 12 by the steady state value θJC. Example: The 2N5193 is dissipating 50 watts under the following Using Figure 12, at a pulse width of 0.1 ms and D = 0.2, the reading of r(t1, D) is 0.27. The peak rise in junction temperature is therefore: ΔT = r(t) x PP x θJC = 0.27 x 50 x 3.12 = 42.2C

http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS CASE 77–09 ISSUE W TO–225AA NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. –B– –A– M K F C Q H V G S D J R U 13 2 2 PL MAM0.25 (0.010) B M MAM0.25 (0.010) B M DIM MIN MAX MIN MAX MILLIMETERSINCHES A 0.425 0.435 10.80 11.04 B 0.295 0.305 7.50 7.74 C 0.095 0.105 2.42 2.66 D 0.020 0.026 0.51 0.66 F 0.115 0.130 2.93 3.30 G 0.094 BSC 2.39 BSC H 0.050 0.095 1.27 2.41 J 0.015 0.025 0.39 0.63 K 0.575 0.655 14.61 16.63 M 5 TYP 5 TYP Q 0.148 0.158 3.76 4.01 R 0.045 0.065 1.15 1.65 S 0.025 0.035 0.64 0.88 U 0.145 0.155 3.69 3.93 STYLE 1: PIN 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE

http://onsemi.com Notes

http://onsemi.com ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. PUBLICATION ORDERING INFORMATION JAPAN : ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031 Phone : 81–3–5740–2700 Email: r14525@onsemi.com ON Semiconductor Website: http://onsemi.com For additional information, please contact your local Sales Representative. 2N5194/D Literature Fulfillment: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone : 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada Email: ONlit@hibbertco.com N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada