MR820_07 DIOTEC | Alldatasheet
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MR820 ... MR828 MR820 ... MR828 Fast Silicon-Rectifiers Schnelle Silizium-Gleichrichter Version 2006-04-26 Dimensions - Maße [mm] Nominal Current Nennstrom 5 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 8 x 7.5 [mm] P600 Style Weight approx. Gewicht ca. 1.3 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] MR820 50 50 MR821 100 100 MR822 200 200 MR824 400 400 MR826 600 600 MR828 800 800 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last T A = 50°C I FAV 5 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz I FRM 60 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C I FSM 300/330 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i 2t 450 A 2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+175°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temp erature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø ±0.05 1.2 Ø ±0.1 7,5 ±0.1 62.5 ±0.5
MR820 ... MR828 Characteristics Kennwerte Forward Voltage – Durchlass-Spannung T j = 25°C I F = 5 A V F < 1.2 V Leakage current – Sperrstrom T j = 25°C V R = VRRM IR < 25 µA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 300 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 16 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 5 K/W Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) IFAV [%] 120 100 [°C]TA 150100500 [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) T = 25° Cj T = 125°Cj 300a-(5a-1.2v)