MMDJ3N03BJT ONSEMI | Alldatasheet
Document overview
- Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
- PDF pages: 6
Technical content
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 August, 2006 − Rev. 5
1 Publication Order Number:
SO−8 for Surface Mount Applications
- Collector −Emitter Sustaining V oltage — VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
- High DC Current Gain — hFE= 85 (Min) @ IC = 0.8 Adc = 60 (Min) @ IC = 3.0 Adc
- Low Collector −Emitter Saturation V oltage — VCE(sat) = 0.18 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc = 0.45 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
- Miniature SO−8 Surface Mount Package − Saves Board Space http://onsemi.com DUAL BIPOLAR POWER TRANSISTOR NPN SILICON
30 VOLTS, 3 AMPERES
(SO−8) CASE 751−07 Style 16 Emitter−1 1 Top View Pinout Base−1 Emitter−2 Base−2 Collector−1 Collector−1 Collector−2 Collector−2 C B E C B E Schematic
http://onsemi.com ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Rating ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Value ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Base Voltage ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ VCB ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Voltage ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ VCEO ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter−Base Voltage ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ VEB ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ±6.0 ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Current — Continuous Collector Current — Peak ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ IC ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 3.0 5.0 ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base Current — Continuous ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ IB ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ 1.0 ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating and Storage Junction Temperature Range ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ TJ, Tstg ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ –55 to +150 ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ /C0095C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ THERMAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ Max ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Thermal Resistance − Junction to Ambient on 1″sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material with one die operating. Thermal Resistance − Junction to Ambient on 0.012″sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material with one die operating. ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ RθJA ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ 100 185 ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ /C0095C/W ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Total Power Dissipation @ TA = 25/C0095C mounted on 1″ sq. (645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material with one die operating. Derate above 25/C0095C ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ PD ÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎ 1.25 ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ W mW//C0095C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Maximum Temperature for Soldering ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ TL ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ 260 ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ /C0095C ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25/C0095C unless otherwise noted) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Characteristic ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Typ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ OFF CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Sustaining Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VCEO(sus) ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter−Base Voltage (IE = 50 /C0109Adc, IC = 0 Adc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VEBO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 6.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector Cutoff Current (VCE = 25 Vdc, RBE = 200 /C0087) (VCE = 25 Vdc, RBE = 200 /C0087, TJ = 125°C) ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ ICER ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 200 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ μAdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ IEBO ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ /C0109Adc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ON CHARACTERISTICS(1) ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Saturation Voltage (IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc) (IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc) (IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc) ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ VCE(sat) ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 0.105 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 0.15 0.18 0.45 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter Saturation Voltage (IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VBE(sat) ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.25 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Base−Emitter On Voltage (IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ VBE(on) ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 1.10 ÎÎÎ ÎÎÎ Vdc ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Current Gain (IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ hFE ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 195 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DYNAMIC CHARACTERISTICS ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Cob ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 135 ÎÎÎ ÎÎÎ pF ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Input Capacitance (VEB = 8.0 Vdc) ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Cib ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 200 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ pF ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Current−Gain — Bandwidth Product (2) (IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, Ftest = 1.0 MHz) ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ fT ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ MHz (1) Pulse Test: Pulse Width ≤300 μs, Duty Cycle ≤ 2%. (2) f T = |hFE| /C0083 ftest
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS CASE 751−07 ISSUE W SEATING PLANE N J X 45/C0095 K NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE. 5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. A B S DH C 0.10 (0.004) SOIC−8 NB DIM A MIN MAX MIN MAX INCHES 4.80 5.00 0.189 0.197 MILLIMETERS B 3.80 4.00 0.150 0.157 C 1.35 1.75 0.053 0.069 D 0.33 0.51 0.013 0.020 G 1.27 BSC 0.050 BSC H 0.10 0.25 0.004 0.010 J 0.19 0.25 0.007 0.010 K 0.40 1.27 0.016 0.050 M 0 8 0 8 N 0.25 0.50 0.010 0.020 S 5.80 6.20 0.228 0.244 −X− −Y− G MYM0.25 (0.010) −Z− YM0.25 (0.010) Z S X S M /C0095/C0095/C0095/C0095 STYLE 16: PIN 1. EMITTER, DIE #1 2. BASE, DIE #1 3. EMITTER, DIE #2 4. BASE, DIE #2 5. COLLECTOR, DIE #2 6. COLLECTOR, DIE #2 7. COLLECTOR, DIE #1 8. COLLECTOR, DIE #1 ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, direct ly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Europe, Middle East and Africa Technical Support: Phone: 421 33 790 2910 Japan Customer Focus Center Phone: 81−3−5773−3850 MMDJ3N03BJT/D LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com ON Semiconductor Website: www.onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit For additional information, please contact your local Sales Representative