MBR-FCT25100

DATASHEET SEARCH SITE | WWW.ALLDATASHEET.COM

Document overview

• Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
• PDF pages: 2

Technical content

扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. S-B092 Rev.1.1, 29-Nov-14 www.21yangjie.com MBR2535FCT THRU MBR25200FCT 肖特基二极管 SCHOTTKY Diodes ■特征 Features ■外形尺寸和印记 Outline Dimensions and Mark

• 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability
• 低功耗，大电流 Low Power loss, High efficiency
• Io 25.0A
• VRRM 35-200V ■用途 Applications
• 快速整流用 High speed switching ■极限值（绝对最大额定值） Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 符号 Symbol 单位 Unit 条件 Conditions MBR-FCT 2535 2545 2560 2580 2510 02515025200 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 35 45 60 80 100 150 200 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current Io A 正弦半波60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1) 60HZ Half-sine wave, Resistance load, Tc(Fig.1) 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current IFSM A 60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ 200 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持 续 时间的积分值 Current Squared Time I2t A2s 1ms≤t＜8.3ms T j=25℃,单个二极 管 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode 167 贮存温度 Storage Temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 结温 Junction Temperature Tj ℃ 在正向直流条件下，没有施加反向压 降，通电≤1h（图示1）① IN DC Forward Mode-Forward Operations，without reverse bias, t ≤1 h (Fig. 1)① -55 ~ +150 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified ） 参数名称 Item 符号 Symbol 单位 Unit 测试条件 Test Condition 最大值 Max MBR-FCT 2535 2545 2560 2580 2510 02515025200 正向峰值电压 Peak Forward Voltage VFM 反向峰值电流 Peak Reverse Current IRRM1 mA VRM =VRRM Ta=25℃ 0.1 IRRM2 Ta=100℃ 20 热阻 Thermal Resistance RθJ-C ℃/W 结和壳之间 Between junction and case 2.0 ■ 备注 N O T E ①Meets the requirements of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test. Dimensions in inches and (millimeters) ITO-220AB .421(10.7) MAX .150(3.8) .102(2.6) DIA .140(3.56) MAX .201(5.1) MAX .031(0.80) MAX .126(3.2) .08(2.1) PIN1 3 .128(3.25) .567(14.4) .177(4.5) MAX .035(0.9) MAX .559(14.2) .504(12.7) .071(1.8) MAX PIN1 PIN3 CASE .116(2.95) .071(1.80) .116(2.95) .071(1.80) PIN1 RoHS COMPLIANT

扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. S-B092 Rev.1.1, 29-Nov-14 www.21yangjie.com MBR2535FCT THRU MBR25200FCT ■ 特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 02 0 4 0 6 08 0 1 0 0 0.01 0.1 1.0 100 VRM(%) IRRM(mA) Tj=100℃ Tj=25℃ FIG4:Typical Reverse Characteristics 图4：反向电流曲线 IFSM(A) 图2：耐正向浪涌电流曲线 2 5 10 20 50 100 FIG2:Surge Forward Current Capadility Number of Cycles at 60Hz 100 150 8.3ms Single Half Since-Wave JEDEC Method 200 Io(A) Tc(℃) 图1：正向电流降额曲线 50 100 FIG1: IF（AV）--Tc Derating 150 IN DC 5.0 10.0 TC measure point 15.0 20.0 25.0 30.0 35.0 0.2 0.5 VF(V) IF(A) 图3：正向电压曲线 FIG3:Instantaneous Forward Voltage 1.0 5.0 Ta=25℃ 0.8 0.9 1.00.10 35V~45V 150V 200V 1.1 1.2 60V 80~100V