MC74VHC132 ONSEMI | Alldatasheet

Document overview

  • Manufacturer or author: Provided By ALLDATASHEET.COM(FREE DATASHEET DOWNLOAD SITE)
  • PDF pages: 6

Technical content

Features

  • High Speed: tPD = 4.9 ns (Typ) at VCC = 5.0 V
  • Low Power Dissipation: ICC = 2 /C0109A (Max) at TA = 25°C
  • High Noise Immunity: VNIH = VNIL = 28% VCC
  • Power Down Protection Provided on Inputs
  • Balanced Propagation Delays
  • Designed for 2.0 V to 5.5 V Operating Range
  • Low Noise: VOLP = 0.8 V (Max)
  • Pin and Function Compatible with Other Standard Logic Families
  • Latchup Performance Exceeds 300mA
  • ESD Performance: Human Body Model > 2000 V; Machine Model > 200 V
  • Chip Complexity: 72 FETs or 18 Equivalent Gates
  • Pb−Free Packages are Available* (Top View)

Figure 1. Pinout: 14−Lead Packages Reference Manual, SOLDERRM/D. dimensions section on page 2 of this data sheet.

ORDERING INFORMATION

http://onsemi.com A = Assembly Location WL, L = Wafer Lot Y = Year WW, W = Work Week G or /C0071= Pb−Free Package VHC132 ALYWG VHC132G AWLYWW VHC 132 ALYW/C0071 /C0071 (Note: Microdot may be in either location) FUNCTION TABLE Inputs Output ABY LLH LHH HLH HHL

http://onsemi.com Figure 2. Logic Diagram Device Package Shipping† MC74VHC132D SOIC−14 55 Units / Rail MC74VHC132DG SOIC−14 (Pb−Free)

55 Units / Rail

MC74VHC132DR2 SOIC−14 2500 Tape & Reel MC74VHC132DR2G SOIC−14 (Pb−Free)

2500 Tape & Reel

MC74VHC132DTR2 TSSOP−14* 2500 Tape & Reel M74VHC132DTR2G TSSOP−14* 2500 Tape & Reel MC74VHC132MEL SOEIAJ−14 2000 Tape & Reel MC74VHC132MELG SOEIAJ−14 (Pb−Free)

2000 Tape & Reel

†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. *This package is inherently Pb−Free. ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Parameter ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ Value ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ VCC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Supply Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ – 0.5 to + 7.0 ÎÎÎ ÎÎÎ V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vin ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Input Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ – 0.5 to + 7.0 ÎÎÎ ÎÎÎ V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vout ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Output Voltage ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ – 0.5 to VCC + 0.5 ÎÎÎ ÎÎÎ V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ IIK ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Input Diode Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ − 20 ÎÎÎ ÎÎÎ mA ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ IOK ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Output Diode Current ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ± 20 ÎÎÎ ÎÎÎ mA ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Iout ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Output Current, per Pin ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ± 25 ÎÎÎ ÎÎÎ mA ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ICC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Supply Current, VCC and GND Pins ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ± 50 ÎÎÎ ÎÎÎ mA ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ PD ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Power Dissipation in Still Air, SOIC Packages† ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ 500 450 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ mW ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Tstg ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Storage Temperature ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ – 65 to + 150 ÎÎÎ ÎÎÎ /C0095C Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. †Derating − SOIC Packages: – 7 mW/ /C0095C from 65/C0095 to 125/C0095C RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Parameter ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Unit ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ VCC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Supply Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ 2.0 ÎÎÎ ÎÎÎ 5.5 ÎÎÎ ÎÎÎ V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vin ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Input Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 5.5 ÎÎÎ ÎÎÎ V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Vout ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC Output Voltage ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ VCC ÎÎÎ ÎÎÎ V ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ TA ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Operating Temperature, All Package Types ÎÎÎ ÎÎÎ − 40 ÎÎÎ ÎÎÎ + 85 ÎÎÎ ÎÎÎ /C0095C This device contains protection circuitry to guard against damage due to high static voltages or electric fields. However, precautions must be taken to avoid applications of any voltage higher than maximum rated voltages to this high−impedance cir- cuit. For proper operation, V in and Vout should be constrained to the range GND /C0118 (Vin or Vout) /C0118 VCC. Unused inputs must always be tied to an appropriate logic voltage level (e.g., either GND or V CC). Unused outputs must be left open.

http://onsemi.com ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Parameter ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Test Conditions ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ VCC V ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ TA = 25°C ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ TA = − 40 to 85°C ÎÎ ÎÎ ÎÎ Unit ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Typ ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Max ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VT+ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Positive Threshold Voltage (Figure 5) ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 3.0 4.5 5.5 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 2.20 3.15 3.85 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 2.20 3.15 3.85 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VT− ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Negative Threshold Voltage (Figure 5) ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 3.0 4.5 5.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.9 1.35 1.65 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.90 1.35 1.65 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Hysteresis Voltage (Figure 5) ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 3.0 4.5 5.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.30 0.40 0.50 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.20 1.40 1.60 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.30 0.40 0.50 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 1.20 1.40 1.60 ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VOH ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Minimum High−Level Output Voltage ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOH = − 50/C0109A ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.9 2.9 4.4 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.9 2.9 4.4 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOH = − 4mA IOH = − 8mA ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 3.0 4.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 2.58 3.94 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 2.48 3.80 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ VOL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Maximum Low−Level Output Voltage ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOL = 50/C0109A ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 2.0 3.0 4.5 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 0.0 0.0 0.0 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎÎ Î Î Î Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 0.1 0.1 0.1 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ V ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VIH or VIL IOL = 4mA IOL = 8mA ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 3.0 4.5 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 0.36 0.36 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 0.44 0.44 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Iin ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Maximum Input Leakage Current ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = 5.5V or GND ÎÎÎ ÎÎÎ 0 to 5.5 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ± 0.1 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ± 1.0 ÎÎ ÎÎ /C0109A ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ICC ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Maximum Quiescent Supply Current ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ Vin = VCC or GND ÎÎÎ ÎÎÎ 5.5 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 2.0 ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 20.0 ÎÎ ÎÎ /C0109A ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns) ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ Symbol ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Parameter ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Test Conditions ÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎ TA = 25°C ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ TA = − 40 to 85°C ÎÎ ÎÎ ÎÎ Unit ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎ ÎÎÎ Typ ÎÎÎ ÎÎÎ Max ÎÎÎ ÎÎÎ Min ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Max ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ tPLH, tPHL ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Maximum Propagation Delay, A or B to Y ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC = 3.3 ± 0.3 V C L = 15pF CL = 50pF ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ 7.6 10.1 ÎÎÎ ÎÎÎ 11.9 15.4 ÎÎÎ ÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ 14.0 17.5 ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎ ns ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ VCC = 5.0 ± 0.5 V C L = 15pF CL = 50pF ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 4.9 6.4 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 7.7 9.7 ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎ 1.0 1.0 ÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎÎÎ 9.0 11.0 ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Cin ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Maximum Input Capacitance ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ pF CPD Power Dissipation Capacitance (Note 1) Typical @ 25°C, VCC = 5.0 V pF16 1. C PD is defined as the value of the internal equivalent capacitance which is calculated from the operating current consumption without load. Average operating current can be obtained by the equation: I CC(OPR) = CPD /C0015 VCC /C0015 fin + ICC /4 (per gate). C PD is used to determine the no−load dynamic power consumption; P D = CPD /C0015 VCC2 /C0015 fin + ICC /C0015 VCC. NOISE CHARACTERISTICS (Input tr = tf = 3.0ns, CL = 50pF, VCC = 5.0 V) Symbol Characteristic TA = 25°C UnitTyp Max VOLP Quiet Output Maximum Dynamic VOL 0.3 0.8 V VOLV Quiet Output Minimum Dynamic VOL − 0.3 − 0.8 V VIHD Minimum High Level Dynamic Input Voltage 3.5 V VILD Maximum Low Level Dynamic Input Voltage 1.5 V

http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS SOIC−14 D SUFFIX CASE 751A−03 ISSUE G NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSIONS A AND B DO NOT INCLUDE MOLD PROTRUSION. 4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006) PER SIDE. 5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. −A− −B− G P 7 PL 14 8 M0.25 (0.010) B M SBM0.25 (0.010) A ST −T− FR X 45 SEATING PLANE D 14 PL K C JM /C0095 DIM MIN MAX MIN MAX INCHESMILLIMETERS A 8.55 8.75 0.337 0.344 B 3.80 4.00 0.150 0.157 C 1.35 1.75 0.054 0.068 D 0.35 0.49 0.014 0.019 F 0.40 1.25 0.016 0.049 G 1.27 BSC 0.050 BSC J 0.19 0.25 0.008 0.009 K 0.10 0.25 0.004 0.009 M 0 7 0 7 P 5.80 6.20 0.228 0.244 R 0.25 0.50 0.010 0.019 /C0095/C0095/C0095/C0095 TSSOP−14 DT SUFFIX CASE 948G−01 ISSUE A DIM MIN MAX MIN MAX INCHESMILLIMETERS A 4.90 5.10 0.193 0.200 B 4.30 4.50 0.169 0.177 D 0.05 0.15 0.002 0.006 F 0.50 0.75 0.020 0.030 G 0.65 BSC 0.026 BSC H 0.50 0.60 0.020 0.024 J 0.09 0.20 0.004 0.008 J1 0.09 0.16 0.004 0.006 K 0.19 0.30 0.007 0.012 K1 0.19 0.25 0.007 0.010 L 6.40 BSC 0.252 BSC M 0 8 0 8 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. 3. DIMENSION A DOES NOT INCLUDE MOLD FLASH, PROTRUSIONS OR GATE BURRS. MOLD FLASH OR GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. 4. DIMENSION B DOES NOT INCLUDE INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION. INTERLEAD FLASH OR PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25 (0.010) PER SIDE. 5. DIMENSION K DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE K DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. 6. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. 7. DIMENSION A AND B ARE TO BE DETERMINED AT DATUM PLANE −W−. /C0095/C0095/C0095/C0095 SU0.15 (0.006) T 2X L/2 SUM0.10 (0.004) V ST L −U− SEATING PLANE 0.10 (0.004) −T− ÇÇÇ ÇÇÇ ÇÇÇ SECTION N−N DETAIL E J J1 K ÉÉÉ ÉÉÉ DETAIL E F M −W− 0.25 (0.010) 814 PIN 1 IDENT. HG A D C B SU0.15 (0.006) T −V− 14X REFK N N

http://onsemi.com PACKAGE DIMENSIONS SOEIAJ−14 M SUFFIX CASE 965−01 ISSUE A HE DIM MIN MAX MIN MAX INCHES MILLIMETERS 0.05 0.20 0.002 0.008 0.35 0.50 0.014 0.020 0.10 0.20 0.004 0.008 9.90 10.50 0.390 0.413 5.10 5.45 0.201 0.215 1.27 BSC 0.050 BSC 7.40 8.20 0.291 0.323 0.50 0.85 0.020 0.033 1.10 1.50 0.043 0.059 0.70 0.90 0.028 0.035 A HE LE /C009510 /C00950 /C009510 /C0095 LE /C0095 NOTES: /Em/figure1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. /Em/figure2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER. /Em/figure3. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH OR PROTRUSIONS AND ARE MEASURED AT THE PARTING LINE. MOLD FLASH OR PROTRUSIONS SHALL NOT EXCEED 0.15 (0.006) PER SIDE. /Em/figure4. TERMINAL NUMBERS ARE SHOWN FOR REFERENCE ONLY. /Em/figure5. THE LEAD WIDTH DIMENSION (b) DOES NOT INCLUDE DAMBAR PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR PROTRUSION SHALL BE 0.08 (0.003) TOTAL IN EXCESS OF THE LEAD WIDTH DIMENSION AT MAXIMUM MATERIAL CONDITION. DAMBAR CANNOT BE LOCATED ON THE LOWER RADIUS OR THE FOOT. MINIMUM SPACE BETWEEN PROTRUSIONS AND ADJACENT LEAD TO BE 0.46 ( 0.018). D Z E 14 8 e A b VIEW P c L DETAIL P M A b c D E e 0.50 M Z ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, direct ly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free USA/Canada Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center 2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051 Phone: 81−3−5773−3850 MC74VHC132/D LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada Email: orderlit@onsemi.com ON Semiconductor Website: http://onsemi.com Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder For additional information, please contact your local Sales Representative.