LTH7R FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. LTH7R.（文件编号：S&CIC1679） 座充充电管理 IC www.superchip.cn 第 1 页 共 5 页 Version1.0 一、 概述 LTH7R.是恒流/恒压座充充电器芯片，主要应用于单节锂电池充电。无需外接检测电阻，其内部为 MOSFET 结构，因此无需外接反向二极管。 LTH7R.在大功率和高环境温度下可以自动调节充电电流以限制芯片温度。它的充电电压固定在 4.2V，充电电 流可以通过外置一个电阻器进行调节。当达到浮充电压并且充电电流下降到设定电路的 1/10时，LTH7R.自动终止 充电过程。当输入电压移开之后，LTH7R.自动进入低电流模式，从电池吸取少于 2uA的电流。当 LTH7R.进入待 机模式时，供电电流小于 25uA。 LTH7R.还可以监控充电电流，具有电压检测、自动循环充电的特性，并且具有一个指示管脚指示充电终止状 态和输入电压状态。 二、 特性 可达 500mA的可编程充电电流 无需外接 MOSFET、检测电阻、反向二极管 恒流/恒压模式操作，具有热保护功能 可通过 USB端口为锂电池充电 具有 1%精度的预设充电电压 待机模式下电流为 20uA 2.9V涓流充电电压 软启动限制了浪涌电流 采用 SOT23-5封装 三、 产品应用 手机、掌上电脑、MP3播放器 蓝牙耳机 四、 应用线路
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. LTH7R.（文件编号：S&CIC1679） 座充充电管理 IC www.superchip.cn 第 2 页 共 5 页 Version1.0 五、 管脚图及功能说明 1 2 3 4 5 6 A B C D 654321 D C B A Title Number RevisionSize B Date: 19-Nov-2012 Sheet of File: E:\\E盘\\规格书\\规格图\\规格图-0\\ZBO\\TC9016.ddbDrawn By: 1 2 3 CHRG GND BAT VCCPROG SOT23-5 符号 名称 功能说明
1 CHRG 充电指示端
2 GND 地
3 BAT 充电电流输出端
4 VCC 电源输入端
5 PROG 外部编程充电电流端
六、 绝对最大额定值 参数 符号 额定值 单位 输入电源电压 VCC 7 V PROG电压 VPROG VCC+0.3 V BAT电压 VBAT 7 V CHRG电压 VCHRG 7 V BAT短路 Continuous 热阻 θJA 250 ℃/W BAT电流 IBAT 500 mA PROG电流 IPROG 800 µA 最高结温 TJ 110 ℃ 储藏温度 TS -65to +125 ℃ 焊接温度（不超过 10秒） 260 ℃ 充电电流外部编程：PROG（引脚 5）：恒流充电电流设置和充电电流监测端。从 PROG管脚连接一个外部电 阻到地端可以对充电电流进行编程。在预充电阶段，此管脚的电压被调制在 0.1V；在恒流充电阶段，此管脚 的电压被固定在 1V。在充电状态的所有模式，测量该管脚的电压都可以根据下面的公式来估算充电电流：
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. LTH7R.（文件编号：S&CIC1679） 座充充电管理 IC www.superchip.cn 第 3 页 共 5 页 Version1.0 符号 参数 条件 最小值 典型值 最大值 单位 VCC 输入电源电压 4.5 5.0 5.5 V ICC 输入电源电流 充电模式 （3） ，RPROG=10K 170 500 µA 待机模式（充电终止） 70 µA 关断模式（RPROG未连接， VCC﹤VBAT，VCC﹤VUV） 38 50 µA VFLOAT 可调输出（浮充）电压 IBAT=30mA，ICHRG=5mA IBAT BAT端电流 RPROG =10k,电流模式 90 110 130 mA RPROG =2k,电流模式 465 500 535 mA VBAT=4.2V，待机模式 0 +/-1 +/-5 µA 关断模式,RPROG未连接 +/-0.5 +/-5 µA 休眠模式，VCC=0V +/-1 +/-5 µA ITRIKL 涓流充电电流 VBAT﹤VTRIKL，RPROG =10k 15 mA VTRIKL 涓流充电阈值电压 RPROG =10k，VBAT Rising 2.8 2.9 3.0 V VUV VCC欠压锁定阈值 3.4 V VUVHYS VCC欠压锁定滞后 FromVCCLowtoHigh 100 mV VASD VCC-VBAT阈值电压 VCC 从低到高 100 mV VCC 从高到低 30 mV ITERM C/10Z终止电流阈值 RPROG =10k(4) 0.1 mA/mA RPROG =2k 0.1 mA/mA VPROG PROG端电压 RPROG =10k,电流模式 0.9 1.03 1.1 V ΔVRECHRG 电池阈值电压 VFLOAT -VRECHRG 100 mV TLIM 热保护温度 130 ℃
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. LTH7R.（文件编号：S&CIC1679） 座充充电管理 IC www.superchip.cn 第 4 页 共 5 页 Version1.0 tSS 软启动时间 IBAT=0to 1000V/RPROG 100 µs tRECHRGE 再充电比较器过滤时间 VBAT Highto Low 1 ms tTERM 终止比较器过滤时间 IBAT FallingBelowICHG/10 1000 µs 1、 超出最大工作范围可能会损坏芯片。 2、 超出器件工作参数极限，不保证其正常功能。 3、 电源电流包括 PROG端电流（大约 100uA），不包括通过 BAT端传输到电池的其他电流 。 4、 充电终止电流一般是设定充电电流的 0.1倍。 八、 波形图 浮动电压 VS电源电压 充电电流 VS 电源电压 涓流充电电流 VS电源电压 浮动电压 VS 温度
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MADE ELECTRONICS GROUPCO., LTD. LTH7R.（文件编号：S&CIC1679） 座充充电管理 IC www.superchip.cn 第 5 页 共 5 页 Version1.0 九、 封装尺寸图 SOT23-5 规格 尺寸 英寸 毫米 最小值 最大值 最小值 最大值 A 0.110 0.120 2.80 3.05 B 0.059 0.070 1.50 1.75 C 0.036 0.051 0.90 1.30 D 0.014 0.020 0.35 0.50 E — 0.037 — 0.95 F — 0.075 — 1.90 H — 0.006 — 0.15 J 0.0035 0.008 0.090 0.20 K 0.102 0.118 2.60 3.00