IPT2601 FUMAN | Alldatasheet
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号：S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第1 页 共6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 1 特性 支持华为FCP 快速充电协议 支持三星AFC 快速充电协议 支持高通QC3.0/QC2.0 快速充电协议 支持在D+和D-加载2.7V电压的USB DCP， 可为苹果设备提供最大2.4A 充电电流 符合USB BC1.2 协议，支持USB DCP 短 接D+和D- 符合中国电信行业标准YD/T 1591-2009， 支持短接D+和D- 自动为接入设备切换适用协议 5V 供电功耗低至1mW SOT23-6 Package 2 应用 适配器 车载充电器 其他USB 端口充电器 移动电源 3 概述 IPT2601 是一款USB 端口快速充电协议控制芯 片。IPT2601 智能识别多种快速充电协议，对 手机等受电设备进行快速充电。IPT2601 根据 受电设备发送的电压请求能够精确的调整 VBUS 输出电压，从而实现快速充电。 IPT2601 在调整5V 输出电压前会自动检测连 接的设备是否支持苹果快充协议。如果支持， 苹果设备会以最大电流充电。如果不支持，会 接着检测是否支持调压快充协议。如果连接的 设备不支持调压快充协议，IPT2601 将禁止输 出电压调整，并配置供电设备为USB DCP，确 保受电设备安全并获取最大电流充电。如果支 持调压快充协议，则开始接受请求指令进行输 出电压的调整。 IPT2601 可通过QC_EN 开启或关闭高压快充 功能，使得应用更灵活。 IPT2601 采用SOT23-6 封装。 4 应用电路图 USB Connector IPT2601 VBUS GND DP DM GNDQC_EN FBO VDDFeedback Node 100K 2.2K 电源反馈网络 注：QC_EN脚悬空时快充最高响应电压为9V/12V，QC_EN脚接VDD时快充最高响应电压为12V
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号：S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第2 页 共6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 5 订购信息 料号 丝印 QC_EN 封装 IPT2601F 2601 XXXXF 悬空：快充响应最高电压为9V SOT23-6 IPT2601Q 2601 XXXXQ 悬空：快充响应最高电压为12V SOT23-6 印字说明： 第一行，2601：芯片型号； 第二行，XXXX+X：Lot Number+软件版本。 6 引脚定义 DP GND FBO QC_EN VDD DM IPT2601 序号 名称 类型 描述 1 DP I/O USB positive data line. 2 GND P Ground connection. 3 FBO I/O Feedback output. Current source/sink output.
4 QC_EN
I There are different functions when different states. HIGH enables Quick Charge(1) and the response Voltage is 3.6V~12V; H-Z also enables Quick Charge, in 2601F the response Voltage is 3.6V~9V, whereas in 2601Q it is 3.6V~12V; LOW disables Quick Charge. 5 VDD P Power supply. 6 DM I/O USB negative data line. (1).Quick Charge includes AFC/FCP/QC.
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号：S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第3 页 共6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 7 规格参数 7.1 极限工作参数(1) 参数 最小值 最大值 单位 耐压（对PGND） VDD -0.3 6.5 V 其他 -0.3 6.5 V 结温 -40 150 存储温度 -65 150 (1) 超出极限工作范围值可能会造成器件永久性损坏。长期工作在极限额定值下可能会影响器件的 可靠性。
7.2 ESD 性能
符号 参数 值 单位 VESD 人体放电模式 (HBM) ±4000 V 7.3 推荐工作条件 参数 最小值 典型值 最大值 单位 VDD 输入电压 3.2 5 6.4 V CVDD 输入电容 0.47 µF TA 工作环境温度 -40 85 7.4 电气特性 没有特别注明情况下，以下参数为 ， 条件下测得。 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 芯片供电VDD 相关 VVDD 内部供电引脚电压 3.2 5.5 V IVDD VDD 持续供电电流 VDD=5V 200 uA VVDD(SHUNT) VDD 钳位电压 IVDD=3.5mA 4.75 V VDD 输入欠压检测UVLO VDD（ON） VDD 开启电压 VVDD 升高 2.9 3.0 3.1 V VDD（OFF） VDD 关断电压 VVDD 下降 2.8 2.9 3.0 V ΔVUVLO UVLO 迟滞 VDD（ON）- VDD（OFF） 0.1 V 数据线D+/D-特性(HVDCP 接口) VDAT(REF) 数据线检测电压 0.25 0.325 0.4 V VSEL(REF) 输出电压选择参考 1.8 2 2.2 V TGLITCH(DP)HIGH D+高电平扰动滤波时间 1 1.25 1.5 s
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号：S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第4 页 共6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 TGLITCH(DM)LOW D-低电平扰动滤波时间 1 ms TGLITCH(V)CHANGE 输出电压扰动滤波时间 20 40 60 ms TGLITCH(CONT)CHANGE 连续模式的扰动滤波时间 100 150 200 us RDAT(LKG) D+漏泄电阻 VDD=3.1-7V， V(D+)=0.5-3.6V, 开关N1 断开 300 500 800 KΩ RDM(DWN) D-下拉电阻 14.25 19.53 24.5 KΩ RON(N1) 开关N1 导通电阻 VDD=3.1-7V， V(D+)≤3.6V, IDRAIN=200uA 20 40 Ω CDAT 数据线电容 1 nF VTH(PD) 受电设备连接检测电压阈值 0.25 0.325 0.4 V TDPD 受电设备连接检测滤波时间 120 160 200 ms ΔIT(UP) 电压升高时电流源阶跃步长 RIREF=100KΩ 2 uA ΔIT(DO) 电压降低时电流源阶跃步长 RIREF=100KΩ 2 uA TDUR(step) 电压变化时步进持续时间 QC3.0 mode 80 100 120 us DCP 1.2V 充电模式 VDAT(1.2V) D+/D-数据线电压 1.08 1.2 1.32 V RDAT(1.2V) D+/D-数据线输出阻抗 100 KΩ Apple 2.4A 充电模式 VDAT(2.7V) D+/D-数据线电压 2.57 2.7 2.84 V RDAT(2.7V) D+/D-数据线输出阻抗 33.6 KΩ FCP 充电模式 VTX-VOH D- FCP TX Valid High 2.35 3.6 V VTX-VOL D- FCP TX Valid Low 0.3 V VRX-VIH D- FCP RX Valid High 1.5 3.6 V VRX-VIL D- FCP RX Valid High 1.0 V RPD D-下拉阻抗 400 500 600 Ω UI Unit Interval for PHY FCLK=125KHz 144 160 176 us Trise FCP Pulse Rise Time 10% - 90% 1 2.5 us Tfall FCP Pulse Fall Time 90% - 10% 1 2.5 us
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号：S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第5 页 共6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 8 修订历史 规格书版本 修订时间 修改内容 V1.0 2017.12 初始版本 V1.1 2019.1 增加对 QC_EN 脚不同状态实现不同功能的描述 V1.2 2019.1 增加订购信息
深圳市富满电子集团股份有限公司 SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD. IPT2601 (文件编号：S&CIC1487) USB 快速充电端口控制器 Version 1.2 第6 页 共6 页 Copyright © 2016, 云矽半导体 9 封装尺寸 Symbol Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Min Max Min Max A 1.050 1.250 0.041 0.049 A1 0.000 0.100 0.000 0.004 A2 1.050 1.150 0.041 0.045 b 0.300 0.500 0.012 0.020 c 0.100 0.200 0.004 0.008 D 2.820 3.020 0.111 0.119 E 1.500 1.700 0.059 0.067 E1 2.650 2.950 0.104 0.116 e 0.950 0.037 e1 1.800 2.000 0.071 0.079 L 0.300 0.600 0.012 0.024 0° 8° 0° 8°