HV3_08 DIOTEC | Alldatasheet
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HV3 ... HV6 HV3 ... HV6 Fast Switching High Voltage Silicon Rectifier Diodes Schnelle Silizium-Hochspannungs-Gleichrichterdioden Version 2008-04-09 HV3 HV5, HV6 Dimensions - Maße [mm] Nominal current Nennstrom 200 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3000...6000 V Plastic case HV3 Kunststoffgehäuse HV5, HV6 DO-41 DO-15 Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Grenzwerte Type Typ Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] HV3 3000 3000 HV5 5000 5000 HV6 6000 6000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 200 mA 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.5 A2s Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150°C -50...+150°C
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 Type Ø 0.8 ±0.05 Ø 3+0.5 62.5 ±0.5 6.3 ±0.3 Type Ø 0.8±0.05 Ø 2.6-0.1 62.5±0.5 5.1-0.1
HV3 ... HV6 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 200 mA VF < 6 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 3 µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 10 mA through/über IR = 10 mA to/auf IR = 1 mA trr < 400 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 60 K/W 1) Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) IFAV [%] 120 100 [°C]TA 150100500 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 10 10 [n] 102 3 [A] îF [A] IF Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte)