GMB624 GSME | Alldatasheet
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Technical content
桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM B624
FEATURES
特點 PNP Low Frequency Amplifier Transistor MAXIMUM RATINGS a =25 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Base Voltage 集電極 基極電壓 V CBO V Collector-Emitter Voltage 集電極 發射極電壓 V CEO -25 V Emitter-Base Voltage 發射極 基極電壓 V EBO V Collector Current-Continuous 集電極電流 連續 Ic -70 mA Collector Power Dissipation 集電極耗散功率 P C 225 mW Junction Temperature 結溫 T j 150 Storage Temperature Range 儲存溫度 T stg -55 150 DEVICE MARKING 打標 GM B624(2SB624) MARK BV1 BV2 BV3 BV4 BV5 H FE 110~180 135~220 170~270 200~320 250~400
桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. G MB624 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 A =25 unless otherwise noted 如無特殊說明 溫度爲 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Test Condition 測試條件 Min 最小值 T yp 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Collector Cutoff Current 集電極截止電流 I CBO V CB 0V, I E 0.1 μ A Emitter Cutoff Current 發射極截止電流 I EBO V EB 5V, I C 0.1 μ A Collector-Base Breakdown Voltage 集電極 基極擊穿電壓 V (BR)CBO I C 100 μ A V Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極 發射極擊穿電壓 V (BR)CEO I C 1.0mA -25 V Emitter-Base Breakdown Vol t age 發射極 基極擊穿電壓 V (BR)EBO I E 100 μ A V DC Current Gain 直流電流增益 H FE V CE I C -100 mA 200 DC Current Gain 直流電流增益 H FE V CE I C -700 mA Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極 發射極飽和壓降 V CE(sat) I C 00mA, I B 0mA -0.25 V Base-Emitter Saturation Voltage 基極 發射極飽和壓降 V B E(sat) I C 00mA, I B 0mA 1.0 1.2 V Base-Emitter Saturation 基極 發射極電壓 V BE V CE I C 10mA -0.6 -0.64 V Transition Frequency 特徵頻率 f T V CE I C 10mA MHz Collector Output Capacitance 輸出電容 C ob V CB V,I E =0, f=1MHz pF