GM9012 GSME | Alldatasheet
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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 G u i l i n G u i l i n G u i l i n G u i l i n S t r o n g S t r o n g S t r o n g S t r o n g M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s C o L t d C o L t d C o L t d C o L t d G M F E A T U R E S F E A T U R E S F E A T U R E S F E A T U R E S 特點 E x c e l l e n t H F E L i n e a r i t y H F E 線性 特性 極好 h F E M i n a t V C E V I c m A C o m p l e m e n t a r y t o G M 与 G M 互补 M A X I M U M M A X I M U M M A X I M U M M A X I M U M R A T I N G S R A T I N G S R A T I N G S R A T I N G S 最大 額定值 T T T T a a a a D E V I C E D E V I C E D E V I C E D E V I C E M A R K I N G M A R K I N G M A R K I N G M A R K I N G 打標 C ha r a c t e r i s t i c 特性參數 S y m bol 符號 R a t i ng 額定值 U ni t 單位 C ol l e c t or B a s e v ol t a g e 集電極 基極電壓 V C B O V dc C ol l e c t or E m i t t e r V o l t a g e 集電極 發射極電壓 V C E O V dc E m i t t e r B a s e v ol t a g e 發射極 基極電壓 V E B O 5.0 V dc C ol l e c t or C ur r e nt C ont i nuous 集電極電流 連續 I c 500 m A dc B a s e C ur r e nt 基極電流 I B m A dc C ol l e c t or P o w e r D i s s i pa t i on 集電極耗散功率 P C 300 m W J unc t i on T e m pe r a t ur e 結溫 T j 150 S t or a g e T e m pe r a t ur e R a ng e 儲存溫度 T s t g 150 G M T
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 G u i l i n G u i l i n G u i l i n G u i l i n S t r o n g S t r o n g S t r o n g S t r o n g M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s C o L t d C o L t d C o L t d C o L t d G M E L E C T R I C A L E L E C T R I C A L E L E C T R I C A L E L E C T R I C A L C H A R A C R T E R I S T I C S C H A R A C R T E R I S T I C S C H A R A C R T E R I S T I C S C H A R A C R T E R I S T I C S 電特 性 T T T T A A A A u n l e s s u n l e s s u n l e s s u n l e s s o o o o t t t t h e r w i s e h e r w i s e h e r w i s e h e r w i s e n o t e d n o t e d n o t e d n o t e d 如無特殊說明，溫度爲 C ha r a c t e r i s t i c 特性參數 S y m bol 符號 T e s t C ondi t i on 測試條件 M i n 最小 值 T Y P 典型 值 M a x 最大 值 U n i t 單位 C ol l e c t or C ut of f C ur r e nt 集電極截止電流 I C B O V C B V I E μ A E m i t t e r C ut of f C ur r e nt 發射極截止電流 I E B O V E B V I C μ A C o l l e c t B a s e B r e a k d o w n V o l t a g e 集電極 基極擊穿電壓 V B R C B O I C 100 μ A V C o l l e c t B a s e B r e a k d o w n V o l t a g e 集電極 基極擊穿電壓 V B R C E O I C 1.0m A V E m i t t e r B a s e B r e a k d o w n V o l t a g e 發射極 基極擊穿電壓 V B R E B O I E 100 μ A V D C C ur r e nt G a i n 直流電流增益 h F E V C E V I C 100m A h F E V C E V I C 400m A C o l l e c t o r E m i t t e r S a t u r a t i o n V o l t a g e 集電極 發射極飽和壓降 V C E s a t I C 500m A I B 50m A V B a s e E m i t t e r S a t ur a t i on V o l t a g e 基極 發射極電壓 V B E V C E V I C 100m A V T r a ns i t i on F r e que nc y 特徵頻率 f T V C E V I C 20m A M H z C ol l e c t or O ut put C a pa c i t a nc e 輸出電容 C o b V C B V I E f H z p F
桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 G u i l i n G u i l i n G u i l i n G u i l i n S t r o n g S t r o n g S t r o n g S t r o n g M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s C o L t d C o L t d C o L t d C o L t d G M D I M E N S I O N D I M E N S I O N D I M E N S I O N D I M E N S I O N 外形 封裝尺寸