GM817 GSME | Alldatasheet
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桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM 817 销售型 號 BC817)
FEATURES
特點 NPN Low Frequency Amplifier Transistor MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極發射極電壓 V CEO V Collector-Base Voltage 集電極 基極電壓 V CBO V Emitter-Base Voltage 發射極 基極電壓 V EBO 5.0 V Collector Current Continuous 集電極電流 連續 Ic 500 mA THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) T A 溫度爲 Derate above25 超過 遞減 P D 225 1.8 mW mW/ Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底 ,(2)T A Derate above25 超過 遞減 P D 300 2.4 mW mW/ Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 R Θ JA 417 Junct io n and Storage Temperature] 結溫和儲存溫度 T J T stg -55to+150 DEVICE MARKING 打標 GM817-16 (BC817-16) =6A;GM817-25 (BC817-25) =6B; GM817-40 (BC817-40) =6C
桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GM 817 销售型 號 BC817) ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 A unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Ma x 最大值 Unit 單位 OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極發射極擊穿電壓 (Ic=10mA,I B =0) V (BR)CEO V Collector-Base Breakdown Voltage 集電極基極擊穿電壓 (Ic=10 u A,V EB =0) V (BR)CBS V Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極基極擊穿電壓 E =1.0 u A,Ic=0) V (BR)EBO 5.0 V Collector Cutoff Curren t 集電極截止電流 CB =20v) CB =20V,T A =150 I CBO 100 5.0 nA uA ON CHARCTERISTICS 導通電特性 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型值 Max 最大值 Unit 單位 DC Current Gain 直流電流增益 H FE c =100mA,V CE =1.0V) 817-16 817-25 817-40 100 160 250 250 400 600 c =500mA,V CE =1.0V) Collector-Emitter Saturation Voltage 集 電極 發射極飽和壓降 c =500mA, I B =50mA) V CE(sat) 0.7 V Base-Emitter Saturation Voltage 基極 發 射極飽和壓降 c =500mA, I B =50mA) V B E(sat) 1.2 V Base-Emitter Voltage 基極 發射極電壓 c =500mA, V CE =1.0V) V BE(on) 1.2 V SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS 小信號特性 FR-5=1.0 0.75 0.062in. Alumina=0.4 0.3 0.024in.99.5%alumina. Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益 帶寬乘積 c =10mA,V CE =5.0V,f=100MHz) f T 100 MHz Output Capacitance 輸出電容 CB =10V, f=1.0MHz) C obo pF