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桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 G u i l i n G u i l i n G u i l i n G u i l i n S t r o n g S t r o n g S t r o n g S t r o n g M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s C o L t d C o L t d C o L t d C o L t d G M 432 D E S C R I P T I O N D E S C R I P T I O N D E S C R I P T I O N D E S C R I P T I O N S Y M B O L S Y M B O L S Y M B O L S Y M B O L 功能 和 符號 輸出電壓 从基准 電壓 到 伏可调的 穩壓二極管 M A X I M U M M A X I M U M M A X I M U M M A X I M U M R A T I N G S R A T I N G S R A T I N G S R A T I N G S 最大額定值 D E V I C E D E V I C E D E V I C E D E V I C E M A R K I N G M A R K I N G M A R K I N G M A R K I N G 打標 C ha r a c t e r i s t i c 特性參數 S y m bol 符號 R a t i ng 額定值 U ni t 單位 C a t hode t o A node V o l t a g e 陰 極 到 陽 極電壓 V K A V C a t hode C ur r e nt R a ng e C ont i nuous 流过 陰 極 電流 連續 I K A 100 m A R e f e r e nc e I n put C ur r e nt R a ng e 基准 電流 I r e f m A P ow e r D i s s i pa t i on 耗散功率 P D 225 m W O pe r a t i ng T e m pe r a t ur e 工作 溫度 T o p r S t or a ge T e m pe r a t ur e 儲存溫度 T s t g 150 G M G M G M G M

桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 G u i l i n G u i l i n G u i l i n G u i l i n S t r o n g S t r o n g S t r o n g S t r o n g M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s C o L t d C o L t d C o L t d C o L t d G M 432 E L E C T R I C A L E L E C T R I C A L E L E C T R I C A L E L E C T R I C A L C H A R A C T E R I S T I C S C H A R A C T E R I S T I C S C H A R A C T E R I S T I C S C H A R A C T E R I S T I C S 電特性 T T T T A A A A =25 =25 =25 =25 u n l e s s u n l e s s u n l e s s u n l e s s ot h e r w i s e ot h e r w i s e ot h e r w i s e ot h e r w i s e n ot e d n ot e d n ot e d n ot e d 如無特殊說明，溫度爲 C ha r a c t e r i s t i c 特性參數 S y m bol 符號 T e s t C ondi t i on 測試條件 M i n 最小值 T y p 典型值 M a x 最大值 U ni t 單位 R e f e r e nc e I n put V o l t a g e 基准 電壓 精度 V R E F 0.5% V K A V R E F I K A 10m A 1.234 1.227 1.215 1.240 1.240 1.240 1.246 1.253 1.265 V D e vi a t i on of r e f e r e nc e I n put V o l t a g e O ve r t e m pe r a t ur e 标准温度内基准 電壓 偏差 Δ V R E F Δ T V K A V R E F I K A 10m A m V R a t i o of C ha ng e i n R e f e r e nc e I n put V o l t a g e t o t he C ha ng e i n C a t hode V o l t a g e 陰 極電壓 与 基 准 電壓 变化比 Δ V R E F Δ V K A I K A 10m A Δ V K A 18V V R E F 1.0 2.7 m V V R e f e r e nc e I n put C ur r e nt 基准 電流 I R E F I K A 10m A R 10k Ω R 0.25 0.5 uA D e vi a t i on of R e f e r e nc e I n put C ur r e nt O ve r F ul l T e m pe r a t ur e R a ng e 标准温度内基准 電流 偏差 Δ I R E F Δ T I K A 10m A R 10k Ω R T A F ul l T e m pe r a t ur e 0.05 0.3 uA M i ni m um C a t hode C ur r e n t f or R e g ul a t i on 最小 陰 極電流 I K A M I N V K A V R E F uA O f f s t a t e C a t hode C ur r e nt 关闭状态 陰 極電流 I K A O F F V K A 18V V R E F 0.04 0.5 uA D y n a m i c I m pe d a nc e 輸出 阻抗 Z K A V K A V R E F I K A t o A f 1kH z 0.2 Ω

桂 林 斯 壯 微 電 子 有 限 責 任 公 司 G u i l i n G u i l i n G u i l i n G u i l i n S t r o n g S t r o n g S t r o n g S t r o n g M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s M i c r o E l e c t r o n i c s C o L t d C o L t d C o L t d C o L t d G M 432 D I M E N S I O N D I M E N S I O N D I M E N S I O N D I M E N S I O N 外形封裝尺寸