GM2308S ZSELEC | Alldatasheet
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場效應晶體管 (SOT-23 Field Effect Transistors) N -Channel Enhancement-Mode MOS FETs N 沟道增强型 MOS 场效应管 MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Drain Source Voltage 漏 極 源 極電壓 B V DSS V Gate Source Voltage 栅 極 源 極電壓 V GS V Drain Current continuous 漏 極電流 連續 I DR 2.3 A Drain Current pulsed 漏 極電流 脉冲 I DRM A THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 Total Device Dissipation 總耗散功率 T A 環境溫度爲 Derate above25 超過 遞減 P D 900 mW mW/ Thermal Resistance Junction to Ambient 熱 阻 R Θ JA 150 Junct io n and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 T J T stg 150 -55to+150
電特性 A =25 unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Typ 典型 值 Max 最大值 Unit 單位 Drain Source Breakdown Voltage 漏 極 源 極擊穿電壓 I D u V GS V B V DSS — — V Gate Threshold Voltage 栅 極 開 启 電壓 I D u V GS V DS V GS th — 3 V Diode Forward Voltage Drop 内附二 極 管正向 壓 降 I SD V GS V V SD — 1.5 V Zero Gate Voltage Drain Current 零栅 壓 漏 極電流 GS V DS I DSS u A Gate Body Leakage 栅 極 漏 電流 GS V DS I GSS 100 n A Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源 導通電 阻 I D 2.3 V GS V I D V GS 4.5 V R DS ON 156 192 m Ω Input Capacitance 輸入電容 GS V DS f=1 MHz) C ISS pF Common Source Output Capacitance 共源 輸出電容 GS V DS f=1 MHz) C OSS pF Turn-ON Time 开启 時間 DS I D 200mA R GEN Ω t (on) ns Turn-OFF Time 关断 時間 DS I D 200mA R GEN Ω t (off) ns FR-5=1.0 0.75 0.062in. Alumina=0.4 0.3 0.024in.99.5%alumina. Pulse Width 300 μ Duty Cycle 2.0%.
外形封裝尺寸 單位 (UNIT) mm